Halbleiterbauelement, Verfahren zum Prozessieren eines Substrats und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements

Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbl...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Schrettlinger, Karin, Riegler, Andreas, Krivec, Stefan, Plappert, Mathias
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Halbleiterbauelement Folgendes aufweisen: ein Halbleitersubstrat (202) aufweisend Silizium, eine Metallisierungsschicht (214) aufweisend Aluminium und Silizium, wobei die Metallisierungsschicht (214) über mindestens einem ersten Bereich (202a) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist, und wobei mindestens ein zweiter Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) frei von der Metallisierungsschicht (214) ist; eine elektrisch leitfähige Diffusionsbarriere (508), welche zwischen dem Halbleitersubstrat (202) und der Metallisierungsschicht (214) angeordnet ist; und eine Barriereschicht (206) aufweisend amorphes Silizium, wobei die Barriereschicht (206) über dem mindestens einen zweiten Bereich (202b) des Halbleitersubstrats (202) angeordnet ist.