Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Zellen und Steuergerät für ein Fahrzeug

Halbleiterbauelement mit einer Mehrzahl von Zellen und Steuergerät für ein Fahrzeug

Es wird ein Halbleiterbauelement (10) vorgeschlagen, in dem zwei Arten von im Wesentlichen identischen MOSFETs (20, 22) arbeiten, die sich lediglich durch ihre Thresholdspannung unterscheiden. Auf diese Art lässt sich ein Secondary Breakdown im linearen Betrieb des Halbleiterbauelements (10) vermeid...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Hoehr, Timm, Costachescu, Dragos, Davies, Neil
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator Hoehr, Timm
Costachescu, Dragos
Davies, Neil
description Es wird ein Halbleiterbauelement (10) vorgeschlagen, in dem zwei Arten von im Wesentlichen identischen MOSFETs (20, 22) arbeiten, die sich lediglich durch ihre Thresholdspannung unterscheiden. Auf diese Art lässt sich ein Secondary Breakdown im linearen Betrieb des Halbleiterbauelements (10) vermeiden. Weiterhin wird ein Steuergerät für ein Fahrzeug vorgeschlagen, das zumindest ein solches Halbleiterbauelement (10) umfasst. The invention relates to a semiconductor component (10), in which two types of substantially identical MOSFETs (20, 22) work, which are distinguished merely by the threshold voltage thereof. In this way, a secondary breakdown can be avoided in the linear operation of the semiconductor component (10). Te invention further relates to a control unit for a vehicle, which control unit comprises at least one such semiconductor component (10).
format Patent
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Auf diese Art lässt sich ein Secondary Breakdown im linearen Betrieb des Halbleiterbauelements (10) vermeiden. Weiterhin wird ein Steuergerät für ein Fahrzeug vorgeschlagen, das zumindest ein solches Halbleiterbauelement (10) umfasst. The invention relates to a semiconductor component (10), in which two types of substantially identical MOSFETs (20, 22) work, which are distinguished merely by the threshold voltage thereof. In this way, a secondary breakdown can be avoided in the linear operation of the semiconductor component (10). 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