VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SUBSTRATS

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats vorgeschlagen, das ein Bestrahlen eines Einkristallsubstrats mit einem Laserstrahl oder einem Strahl geladener Partikel umfasst, während ein Bestrahlungspunkt des Strahls bezüglich des Einkristallsubstrats so bewegt wird, dass eine Bahn (31, 32, 33) des Bestrahlungspunkts auf einer Oberfläche (10a) des Einkristallsubstrats ein Streifenmuster aus geraden Linien beschreibt. In dem Einkristallsubstrat werden entlang der Bahn (31, 32, 33) nichtkristalline Bereiche ausgebildet. Die Bestrahlung wird drei Mal wiederholt, sodass die Richtungen (D1, D2, D3) der Streifenmuster zwischen den mehreren Malen Bestrahlung voneinander verschieden sind. Die Wiederholung der Bestrahlung ändert einen Verzug des Einkristallsubstrats. In einer zur Oberfläche (10a) parallelen Ebene sind alle Richtungen der geraden Linien, die bei den mehreren Malen Bestrahlung beschriebenen werden, nicht zu irgendeiner Richtung von Kristallachsen (a1, a2, a3) des Einkristallsubstrats parallel. A method for manufacturing a substrate is provided. The method includes irradiating a single crystal substrate with a beam of laser or charged particles while moving an irradiation point of the beam with respect to the single crystal substrate so that a trajectory of the irradiation point on a surface of the single crystal substrate describes a striped pattern of straight lines. Non-crystalline regions are formed in the single crystal substrate along the trajectory. The irradiation is repeated multiple times so that directions of the striped patterns are different from each other among the multiple times of irradiation. The repetition of the irradiation changes warpage of the single crystal substrate. All of directions of the straight lines described in the multiple times of irradiation are not parallel to any of directions of crystal axes of the single crystal substrate in a plane parallel to the surface.