Kontakte für Halbleitervorrichtungen und Verfahren zu deren Bildung

Ein Verfahren für ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitervorrichtung enthält das Bereitstellen eines Halbleitersubstrats, das eine Unterseite entgegengesetzt einer Oberseite aufweist, wobei eine Schaltungsanordnung an der Oberseite angeordnet ist. Das Verfahren enthält ferner das Bilden einer ersten Metallschicht, die ein erstes Metall aufweist, über der Unterseite des Halbleitersubstrats. Die erste Metallschicht wird durch Aufbringen eines Adhäsionspromoters, gefolgt von dem ersten Metall gebildet. A method for a method of forming a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate having a bottom surface opposite a top surface with circuitry disposed at the top surface. The method further includes forming a first metal layer having a first metal over the bottom surface of the semiconductor substrate. The first metal layer is formed by depositing an adhesion promoter followed by depositing the first metal.