Verfahren zur Fertigung einer Halbleiterstruktur

Verfahren zur Fertigung einer Halbleiterstruktur, das Folgendes umfasst:Empfangen eines ersten Substrats (201), das eine erste Fläche (201a), eine zweite Fläche (201b) gegenüber der ersten Fläche, und mehrere leitfähige Bondhügel (202) umfasst, die über der ersten Fläche (201a) angeordnet sind;Empfangen eines zweiten Substrats (301);Anordnen eines Klebstoffs (401) über dem ersten Substrat (201) oder dem zweiten Substrat (301);Strukturieren des Klebstoffs (401) durch Entfernen von Abschnitten des Klebstoffs (401), so dass ein Teil der Oberseiten (202a) der leitfähigen Bondhügel (202) aus dem Klebstoff (401) freiliegen;Erwärmen des Klebstoffs (401) in einer ersten Umgebung;Verbonden des ersten Substrats (201) mit dem zweiten Substrat (301) durch Anlegen einer Kraft von weniger als etwa 10.000 N an das erste Substrat (201) oder das zweite Substrat (301) und Erwärmen des Klebstoffs (401) in einer zweiten Umgebung; undAusdünnen einer Dicke des ersten Substrats (201) von der zweiten Fläche (201b) aus. A method of manufacturing a semiconductor structure is provided. The method includes providing a first substrate including a plurality of conductive bumps disposed over the first substrate; providing a second substrate; disposing a patterned adhesive over the first substrate, wherein at least a portion of the plurality of conductive bumps is exposed through the patterned adhesive; bonding the first substrate with the second substrate; and singulating a chip from the first substrate.