Gruppe-III-Nitrid-basierte ESD-Schutzvorrichtung
Vorrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, umfassend:eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode; undeine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, wobei die Anordnung eingerichtet ist,ein Spann...
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| description | Vorrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, umfassend:eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode; undeine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, wobei die Anordnung eingerichtet ist,ein Spannungsklemmen bei 5V oder weniger unter Vorspannung in Durchlassrichtung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten Strom sowohl in der Durchlass- als auch in der Sperrrichtung bereitzustellen,wobei die erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine erste intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine zweite intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ elektrisch verbunden ist; unddie erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ elektrisch verbunden ist,wobei die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ und die erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ durch eine einzige Metallisierungsschicht elektrisch verbunden sind.
An ESD (electrostatic discharge) protection device includes a first III-nitride p-i-n diode and a second III-nitride p-i-n diode connected to the first III-nitride p-i-n diode in an antiparallel arrangement configured to provide voltage clamping at 5V or less under forward bias of either the first or second III-nitride p-i-n diode for transient current in both forward and reverse directions. A corresponding method of manufacturing the ESD protection device is also provided. |
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An ESD (electrostatic discharge) protection device includes a first III-nitride p-i-n diode and a second III-nitride p-i-n diode connected to the first III-nitride p-i-n diode in an antiparallel arrangement configured to provide voltage clamping at 5V or less under forward bias of either the first or second III-nitride p-i-n diode for transient current in both forward and reverse directions. A corresponding method of manufacturing the ESD protection device is also provided.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS ; GENERATION ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2020</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200326&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102015101935B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20200326&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102015101935B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Werthmann, Hubert</creatorcontrib><title>Gruppe-III-Nitrid-basierte ESD-Schutzvorrichtung</title><description>Vorrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, umfassend:eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode; undeine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, wobei die Anordnung eingerichtet ist,ein Spannungsklemmen bei 5V oder weniger unter Vorspannung in Durchlassrichtung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten Strom sowohl in der Durchlass- als auch in der Sperrrichtung bereitzustellen,wobei die erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine erste intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine zweite intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ elektrisch verbunden ist; unddie erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ elektrisch verbunden ist,wobei die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ und die erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ durch eine einzige Metallisierungsschicht elektrisch verbunden sind.
An ESD (electrostatic discharge) protection device includes a first III-nitride p-i-n diode and a second III-nitride p-i-n diode connected to the first III-nitride p-i-n diode in an antiparallel arrangement configured to provide voltage clamping at 5V or less under forward bias of either the first or second III-nitride p-i-n diode for transient current in both forward and reverse directions. A corresponding method of manufacturing the ESD protection device is also provided.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS</subject><subject>GENERATION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2020</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDBwLyotKEjV9fT01PXLLCnKTNFNSizOTC0qSVVwDXbRDU7OKC2pKssvKspMzigpzUvnYWBNS8wpTuWF0twMqm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxLq6GBkYGhqaGBoaWxqZOJsbEqgMAhFQshA</recordid><startdate>20200326</startdate><enddate>20200326</enddate><creator>Werthmann, Hubert</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20200326</creationdate><title>Gruppe-III-Nitrid-basierte ESD-Schutzvorrichtung</title><author>Werthmann, Hubert</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102015101935B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2020</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS</topic><topic>GENERATION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Werthmann, Hubert</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Werthmann, Hubert</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Gruppe-III-Nitrid-basierte ESD-Schutzvorrichtung</title><date>2020-03-26</date><risdate>2020</risdate><abstract>Vorrichtung zum Schutz vor elektrostatischen Entladungen, umfassend:eine erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode; undeine zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode, die mit der ersten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode in einer antiparallelen Anordnung verbunden ist, wobei die Anordnung eingerichtet ist,ein Spannungsklemmen bei 5V oder weniger unter Vorspannung in Durchlassrichtung entweder der ersten oder der zweiten Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode für transienten Strom sowohl in der Durchlass- als auch in der Sperrrichtung bereitzustellen,wobei die erste Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine erste intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer ersten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die zweite Gruppe-III-Nitrid-p-i-n-Diode eine zweite intrinsische Gruppe-III-Nitridzone umfasst, die zwischen einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ und einer zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ angeordnet ist;die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ elektrisch verbunden ist; unddie erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ elektrisch verbunden ist,wobei die erste Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ und die erste Gruppe-III-Nitridzone vom p-Typ mit der zweiten Gruppe-III-Nitridzone vom n-Typ durch eine einzige Metallisierungsschicht elektrisch verbunden sind.
An ESD (electrostatic discharge) protection device includes a first III-nitride p-i-n diode and a second III-nitride p-i-n diode connected to the first III-nitride p-i-n diode in an antiparallel arrangement configured to provide voltage clamping at 5V or less under forward bias of either the first or second III-nitride p-i-n diode for transient current in both forward and reverse directions. A corresponding method of manufacturing the ESD protection device is also provided.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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