WAFER, INTEGRIERTER SCHALTUNGSCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES INTEGRIERTEN SCHALTUNGSCHIPS

Wafer (100), der Folgendes umfasst:ein Substrat (114);eine Verbindungsschicht (120), die auf dem Substrat (114) ausgebildet ist;eine Passivierungsschicht (122), die auf der Verbindungsschicht (120) ausgebildet ist;mehrere IC-Bereiche (102); undeinen Schnittbereich (104), der zwischen den mehreren IC-Bereichen (102) angeordnet ist,wobei der Schnittbereich (104) einen Zertrennbereich (106), eine Rissstoppstruktur (108, 108a-b), die in der Verbindungsschicht (120) und zwischen einem IC-Bereich (102) und dem Zertrennbereich (106) angeordnet ist, und einen Graben (110, 110a-b), der in der Passivierungsschicht (122) ausgebildet ist und zwischen der Rissstoppstruktur (108, 108a-b) und dem Zertrennbereich (106) angeordnet ist, umfasst, undwobei die Rissstoppstruktur (108, 108a-b) eine erweiterte Metallschicht (112, 112a) umfasst, die sich unter dem Graben (110, 110a-b) und in Richtung des Zertrennbereichs (106) erstreckt. A wafer has a number of IC areas and a kerf area arranged between the IC areas. The kerf area has a dicing area, a crack stop structure arranged between an IC area and a dicing area, and a trench arranged between the crack stop structure and the dicing area. The crack stop structure includes an extended layer extending beyond the crack stop structure towards the dicing area.