INTEGRIERTE SCHALTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER INTEGRIERTEN SCHALTUNG

Integrierte Schaltung (1), umfassend:ein Leistungsbauteil (3), das eine Vielzahl von ersten Trenches (10, ..., 10) in einem Zellarray und ein erstes leitendes Material in den ersten Trenches (10, ..., 10), das elektrisch mit einem Gateanschluss (32) des Leistungsbauteiles (3) gekoppelt ist, aufweist,ein Diodenbauteil (4), das einen ersten Diodenvorrichtungstrench (20) und einen zweiten Diodenvorrichtungstrench (21), die benachbart zueinander angeordnet sind, sowie ein zweites leitendes Material in den ersten und den zweiten Diodenvorrichtungstrenches (20, 21), das elektrisch mit einem Sourceanschluss des Diodenbauteiles (4) gekoppelt ist, aufweist, wobei die ersten Trenches (10, ..., 10), der erste Diodenvorrichtungstrench (20) und der zweite Diodenvorrichtungstrench (21) in einer ersten Hauptoberfläche (110) eines Halbleitersubstrates (100) vorgesehen sind, undeinen Diodengatekontakt (22), der eine Verbindungsstruktur (27, 271), die zwischen dem ersten und dem zweiten Diodenvorrichtungstrench (20, 21) angeordnet ist, aufweist, wobei die Verbindungsstruktur (27, 271) an das zweite leitende Material in dem ersten und dem zweiten Diodenvorrichtungstrench (20, 21) direkt angrenzt, wobei die Vielzahl von ersten Trenches (10, ..., 10), der erste Diodenvorrichtungstrench (20) und der zweite Diodenvorrichtungstrench (21) in einer ersten Richtung verlaufen und bei der die Verbindungsstruktur (27, 271) in einer die erste Richtung schneidenden zweiten Richtung verläuft. An integrated circuit includes a power component including a plurality of first trenches in a cell array and a first conductive material in the first trenches electrically coupled to a gate terminal of the power component, and a diode component including a first diode device trench and a second diode device trench disposed adjacent to each other. A second conductive material in the first and the second diode device trenches is electrically coupled to a source terminal of the diode component. The first trenches, the first diode device trench and the second diode device trench are disposed in a first main surface of a semiconductor substrate. The integrated circuit further includes a diode gate contact including a connection structure between the first and the second diode device trenches. The connection structure is in contact with the second conductive material in the first and the second diode device trenches.