Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip
Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet,- einem transparenten Träger (4), auf den die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist, wobei- der Träger (4) eine der Halbleiters...
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| Format: | Patent |
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| creator | Neudecker, Ingo Jerebic, Simon Huber, Michael Perzlmaier, Korbinian Spath, Günter Kämpf, Mathias |
| description | Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet,- einem transparenten Träger (4), auf den die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist, wobei- der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und- die Seitenflanke (10) eine sägezahnförmige Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist, wobei jedes Strukturelement (11) der sägezahnförmigen Auskoppelstruktur eine erste Fläche (12) und eine zweite Fläche (13) aufweist, wobei die erste Fläche (12) parallel zur ersten Hauptfläche (8) und/oder zur zweiten Hauptfläche (9) des Trägers (4) verläuft, und die zweite Fläche (13) einen spitzen Öffnungswinkel (α) mit der ersten Fläche (12) einschließt, wobei der Öffnungswinkel (α) in Richtung der ersten Hauptfläche (8) des Trägers (4) oder in Richtung der zweiten Hauptfläche des Trägers (4) weist.
Disclosed is a radiation-emitting semi-conductor chip (1) comprising an epitaxial semi-conductor layer sequence (3) which emits electromagnetic radiation in operation. The epitaxial semi-conductor layer sequence (3) is applied on a a transparent substrate (4), wherein the substrate (4) has a first main surface (8) facing the semi-conductor layer sequence (3), a second main surface (9) facing away from the semi-conductor layer sequence (3) and a first lateral flank (10) arranged between the first main surface (8) and the second main surface (9), and the lateral flank (10) has a decoupling structure which is formed in a targeted manner from separating tracks. Also disclosed is a method for producing the semi-conductor chip, and a component comprising such a semi-conductor chip. |
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Disclosed is a radiation-emitting semi-conductor chip (1) comprising an epitaxial semi-conductor layer sequence (3) which emits electromagnetic radiation in operation. The epitaxial semi-conductor layer sequence (3) is applied on a a transparent substrate (4), wherein the substrate (4) has a first main surface (8) facing the semi-conductor layer sequence (3), a second main surface (9) facing away from the semi-conductor layer sequence (3) and a first lateral flank (10) arranged between the first main surface (8) and the second main surface (9), and the lateral flank (10) has a decoupling structure which is formed in a targeted manner from separating tracks. Also disclosed is a method for producing the semi-conductor chip, and a component comprising such a semi-conductor chip.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2023</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231012&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014114613B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25568,76551</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20231012&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014114613B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Neudecker, Ingo</creatorcontrib><creatorcontrib>Jerebic, Simon</creatorcontrib><creatorcontrib>Huber, Michael</creatorcontrib><creatorcontrib>Perzlmaier, Korbinian</creatorcontrib><creatorcontrib>Spath, Günter</creatorcontrib><creatorcontrib>Kämpf, Mathias</creatorcontrib><title>Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip</title><description>Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet,- einem transparenten Träger (4), auf den die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist, wobei- der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und- die Seitenflanke (10) eine sägezahnförmige Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist, wobei jedes Strukturelement (11) der sägezahnförmigen Auskoppelstruktur eine erste Fläche (12) und eine zweite Fläche (13) aufweist, wobei die erste Fläche (12) parallel zur ersten Hauptfläche (8) und/oder zur zweiten Hauptfläche (9) des Trägers (4) verläuft, und die zweite Fläche (13) einen spitzen Öffnungswinkel (α) mit der ersten Fläche (12) einschließt, wobei der Öffnungswinkel (α) in Richtung der ersten Hauptfläche (8) des Trägers (4) oder in Richtung der zweiten Hauptfläche des Trägers (4) weist.
Disclosed is a radiation-emitting semi-conductor chip (1) comprising an epitaxial semi-conductor layer sequence (3) which emits electromagnetic radiation in operation. The epitaxial semi-conductor layer sequence (3) is applied on a a transparent substrate (4), wherein the substrate (4) has a first main surface (8) facing the semi-conductor layer sequence (3), a second main surface (9) facing away from the semi-conductor layer sequence (3) and a first lateral flank (10) arranged between the first main surface (8) and the second main surface (9), and the lateral flank (10) has a decoupling structure which is formed in a targeted manner from separating tracks. Also disclosed is a method for producing the semi-conductor chip, and a component comprising such a semi-conductor chip.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2023</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNzDEOwjAQBMA0FAj4wzV0IGGIeEAgKD2IFpmwwRbOObIvDY_kTRhEhSioTrrdnWH22EvQxvV8jWitiEUAXxCo0u7sYAWhNrab0RGh0SaFdO9TihAF7rUjWE79o4W7J4k0U_xp8pcZqecL-U48HG4SPNtYG0QqdJ8-LVgozd9--6c5zgaNdhGTzx1l01152FRzdP6E2OkaDDltS7VYLlSuVL5WqyJf_dt7Aql3a6g</recordid><startdate>20231012</startdate><enddate>20231012</enddate><creator>Neudecker, Ingo</creator><creator>Jerebic, Simon</creator><creator>Huber, Michael</creator><creator>Perzlmaier, Korbinian</creator><creator>Spath, Günter</creator><creator>Kämpf, Mathias</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20231012</creationdate><title>Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip</title><author>Neudecker, Ingo ; Jerebic, Simon ; Huber, Michael ; Perzlmaier, Korbinian ; Spath, Günter ; Kämpf, Mathias</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102014114613B43</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2023</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Neudecker, Ingo</creatorcontrib><creatorcontrib>Jerebic, Simon</creatorcontrib><creatorcontrib>Huber, Michael</creatorcontrib><creatorcontrib>Perzlmaier, Korbinian</creatorcontrib><creatorcontrib>Spath, Günter</creatorcontrib><creatorcontrib>Kämpf, Mathias</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Neudecker, Ingo</au><au>Jerebic, Simon</au><au>Huber, Michael</au><au>Perzlmaier, Korbinian</au><au>Spath, Günter</au><au>Kämpf, Mathias</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip</title><date>2023-10-12</date><risdate>2023</risdate><abstract>Strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) mit:- einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (3), die im Betrieb elektromagnetische Strahlung aussendet,- einem transparenten Träger (4), auf den die epitaktische Halbleiterschichtenfolge (3) aufgebracht ist, wobei- der Träger (4) eine der Halbleiterschichtenfolge (3) zugewandte erste Hauptfläche (8), eine der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandte zweite Hauptfläche (9) und eine zwischen der ersten Hauptfläche (8) und der zweiten Hauptfläche (9) angeordnete Seitenflanke (10) aufweist, und- die Seitenflanke (10) eine sägezahnförmige Auskoppelstruktur aufweist, die gezielt aus Vereinzelungsspuren gebildet ist, wobei jedes Strukturelement (11) der sägezahnförmigen Auskoppelstruktur eine erste Fläche (12) und eine zweite Fläche (13) aufweist, wobei die erste Fläche (12) parallel zur ersten Hauptfläche (8) und/oder zur zweiten Hauptfläche (9) des Trägers (4) verläuft, und die zweite Fläche (13) einen spitzen Öffnungswinkel (α) mit der ersten Fläche (12) einschließt, wobei der Öffnungswinkel (α) in Richtung der ersten Hauptfläche (8) des Trägers (4) oder in Richtung der zweiten Hauptfläche des Trägers (4) weist.
Disclosed is a radiation-emitting semi-conductor chip (1) comprising an epitaxial semi-conductor layer sequence (3) which emits electromagnetic radiation in operation. The epitaxial semi-conductor layer sequence (3) is applied on a a transparent substrate (4), wherein the substrate (4) has a first main surface (8) facing the semi-conductor layer sequence (3), a second main surface (9) facing away from the semi-conductor layer sequence (3) and a first lateral flank (10) arranged between the first main surface (8) and the second main surface (9), and the lateral flank (10) has a decoupling structure which is formed in a targeted manner from separating tracks. Also disclosed is a method for producing the semi-conductor chip, and a component comprising such a semi-conductor chip.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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| title | Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an strahlungsemittierenden Halbleiterchips und optoelektronisches Bauelement mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip |
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