Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikträger, insbesondere Al2O3-Träger, auf dem eine Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher t...
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| Format: | Patent |
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| creator | LOOSE, THOMAS DIETMANN, STEFAN FLECKENSTEIN, ALFRED TEUSCH, DIETER |
| description | Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikträger, insbesondere Al2O3-Träger, auf dem eine Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten angepasst sind. Der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) umfassen: a) eine Oberfläche (11) des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist und/oder b) eine/die Oberfläche (11) des Trägers eine Zwischenschicht (12) aufweist, auf der die Dünnschichtstruktur (10) angeordnet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) von 8·10-6/K bis 16·10-6/K, insbesondere von 8,5·10-6/K bis 14·10-6/K, beträgt, und/oder c) die Dünnschichtstruktur (10) wenigstens eine zumindest abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn (13) aufweist, die sich lateral entlang einer/der Oberfläche (11) des Trägers erstreckt, wobei die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 0,2·B bis 2·B, insbesondere von 0,4·B bis 1·B, und die Wellenlänge der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 3·B bis 10·B, insbesondere von 4·B bis 7·B, betragen, wobei B" die Breite der Leiterbahn (13) ist, und/oder d) unmittelbar auf der Dünnschichtstruktur (10) eine erste Abdeckschicht (14a) aufgebracht ist, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus Al2O3 und/oder MgO, enthält.
An Al2O3 carrier has a thin-film structure of platinum or a platinum alloy arranged thereon. The carrier and/or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure include a surface of the carrier in the region of the thin-film structure is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or a surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is from 8*10−6/K to 16*10−6/K, in particular from 8.5*10−6/K to 14*10−6/K, and/or the thin-film structure has at least one conductor path that is undular at least in sections, said conductor path extends laterally along the surface of the carrier. |
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An Al2O3 carrier has a thin-film structure of platinum or a platinum alloy arranged thereon. The carrier and/or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure include a surface of the carrier in the region of the thin-film structure is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or a surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is from 8*10−6/K to 16*10−6/K, in particular from 8.5*10−6/K to 14*10−6/K, and/or the thin-film structure has at least one conductor path that is undular at least in sections, said conductor path extends laterally along the surface of the carrier.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MEASURING ; MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL ; METERING BY VOLUME ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PHYSICS ; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20151001&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014104219A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20151001&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014104219A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>LOOSE, THOMAS</creatorcontrib><creatorcontrib>DIETMANN, STEFAN</creatorcontrib><creatorcontrib>FLECKENSTEIN, ALFRED</creatorcontrib><creatorcontrib>TEUSCH, DIETER</creatorcontrib><title>Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers</title><description>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikträger, insbesondere Al2O3-Träger, auf dem eine Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten angepasst sind. Der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) umfassen: a) eine Oberfläche (11) des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist und/oder b) eine/die Oberfläche (11) des Trägers eine Zwischenschicht (12) aufweist, auf der die Dünnschichtstruktur (10) angeordnet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) von 8·10-6/K bis 16·10-6/K, insbesondere von 8,5·10-6/K bis 14·10-6/K, beträgt, und/oder c) die Dünnschichtstruktur (10) wenigstens eine zumindest abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn (13) aufweist, die sich lateral entlang einer/der Oberfläche (11) des Trägers erstreckt, wobei die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 0,2·B bis 2·B, insbesondere von 0,4·B bis 1·B, und die Wellenlänge der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 3·B bis 10·B, insbesondere von 4·B bis 7·B, betragen, wobei B" die Breite der Leiterbahn (13) ist, und/oder d) unmittelbar auf der Dünnschichtstruktur (10) eine erste Abdeckschicht (14a) aufgebracht ist, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus Al2O3 und/oder MgO, enthält.
An Al2O3 carrier has a thin-film structure of platinum or a platinum alloy arranged thereon. The carrier and/or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure include a surface of the carrier in the region of the thin-film structure is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or a surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is from 8*10−6/K to 16*10−6/K, in particular from 8.5*10−6/K to 14*10−6/K, and/or the thin-film structure has at least one conductor path that is undular at least in sections, said conductor path extends laterally along the surface of the carrier.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MEASURING</subject><subject>MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL</subject><subject>METERING BY VOLUME</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TESTING</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjDsKwkAYhNNYiHqHv7FTyMY0lqKRgKViGxYziav7CPsgkHN4BG_ixXyQKpXVMMx83zh6HGC5EndvX88alpxpBegI7YyFhIL2C8ohur5Q0GU_K1MGSTe0ENKREp4gNBQNjF_gDFvxq4WmLtiPzjoPKYOuf4gbIG4ajSouHWZ9TqL5Pjtt8yUaU8A1_AINX-wyFicxS1mcJmy9Yat_f2-A-lVv</recordid><startdate>20151001</startdate><enddate>20151001</enddate><creator>LOOSE, THOMAS</creator><creator>DIETMANN, STEFAN</creator><creator>FLECKENSTEIN, ALFRED</creator><creator>TEUSCH, DIETER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20151001</creationdate><title>Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers</title><author>LOOSE, THOMAS ; DIETMANN, STEFAN ; FLECKENSTEIN, ALFRED ; TEUSCH, DIETER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102014104219A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MEASURING</topic><topic>MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUIDLEVEL</topic><topic>METERING BY VOLUME</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TESTING</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>LOOSE, THOMAS</creatorcontrib><creatorcontrib>DIETMANN, STEFAN</creatorcontrib><creatorcontrib>FLECKENSTEIN, ALFRED</creatorcontrib><creatorcontrib>TEUSCH, DIETER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>LOOSE, THOMAS</au><au>DIETMANN, STEFAN</au><au>FLECKENSTEIN, ALFRED</au><au>TEUSCH, DIETER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Keramikträger sowie Sensorelement, Heizelement und Sensormodul jeweils mit einem Keramikträger und Verfahren zur Herstellung eines Keramikträgers</title><date>2015-10-01</date><risdate>2015</risdate><abstract>Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikträger, insbesondere Al2O3-Träger, auf dem eine Dünnschichtstruktur (10) aus Platin oder einer Platinlegierung angeordnet ist, wobei der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung mechanischer Spannungen auf Grund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten angepasst sind. Der Träger und/oder die Dünnschichtstruktur (10) umfassen: a) eine Oberfläche (11) des Trägers im Bereich der Dünnschichtstruktur (10) zur Verringerung der Haftung zumindest abschnittsweise geglättet ist und/oder b) eine/die Oberfläche (11) des Trägers eine Zwischenschicht (12) aufweist, auf der die Dünnschichtstruktur (10) angeordnet ist, wobei der thermische Ausdehnungskoeffizient der Zwischenschicht (12) von 8·10-6/K bis 16·10-6/K, insbesondere von 8,5·10-6/K bis 14·10-6/K, beträgt, und/oder c) die Dünnschichtstruktur (10) wenigstens eine zumindest abschnittsweise wellenförmige Leiterbahn (13) aufweist, die sich lateral entlang einer/der Oberfläche (11) des Trägers erstreckt, wobei die Amplitude der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 0,2·B bis 2·B, insbesondere von 0,4·B bis 1·B, und die Wellenlänge der wellenförmigen Leiterbahn (13) von 3·B bis 10·B, insbesondere von 4·B bis 7·B, betragen, wobei B" die Breite der Leiterbahn (13) ist, und/oder d) unmittelbar auf der Dünnschichtstruktur (10) eine erste Abdeckschicht (14a) aufgebracht ist, die oxydische Nanopartikel, insbesondere aus Al2O3 und/oder MgO, enthält.
An Al2O3 carrier has a thin-film structure of platinum or a platinum alloy arranged thereon. The carrier and/or the thin-film structure are adapted to reduce mechanical stresses owing to different thermal expansion coefficients. The carrier and/or the thin-film structure include a surface of the carrier in the region of the thin-film structure is smoothed at least in sections to reduce the adhesion and/or a surface of the carrier has an intermediate layer on which the thin-film structure is arranged. The thermal expansion coefficient of the intermediate layer is from 8*10−6/K to 16*10−6/K, in particular from 8.5*10−6/K to 14*10−6/K, and/or the thin-film structure has at least one conductor path that is undular at least in sections, said conductor path extends laterally along the surface of the carrier.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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