Auf seinen beiden voneinander wegweisenden Breitseiten je ein Substrat tragender Substratträger
Die Erfindung betrifft einen Substratträger und einen mit dem Substratträger zusammenwirkenden CVD-Reaktor zur Anordnung in einem CVD- oder PVD-Reaktor (20), insbesondere zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen, oder Graphene mit einer ersten Breitseitenfläche (2) zur Aufnahme eines zu beschich...
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| Format: | Patent |
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| creator | JOUVRAY, ALEXANDRE TEO, KENNETH RUPESINGHE, NALIN L RIPPINGTON, DAVID ERIC |
| description | Die Erfindung betrifft einen Substratträger und einen mit dem Substratträger zusammenwirkenden CVD-Reaktor zur Anordnung in einem CVD- oder PVD-Reaktor (20), insbesondere zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen, oder Graphene mit einer ersten Breitseitenfläche (2) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (6) und einer von der ersten Breitseitenfläche (2) wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (3). Um eine Vorrichtung oder Teile einer Vorrichtung zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass die erste Breitseitenfläche (2) und die zweite Breitseitenfläche (3) jeweils eine Substrat-Aufnahmezone (4, 5) aufweisen, in denen Fixierelemente (14, 14', 15) vorgesehen sind, mit denen jeweils ein Substrat (6) oder Abschnitte eines Substrates (6) an der Breitseitenfläche (2, 3) befestigbar ist. Außerdem betrifft die Erfindung einen CVD-Reaktor mit einem Substratträger (1).
A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier. |
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A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</description><language>ger</language><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150924&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014104009A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20150924&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102014104009A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>JOUVRAY, ALEXANDRE</creatorcontrib><creatorcontrib>TEO, KENNETH</creatorcontrib><creatorcontrib>RUPESINGHE, NALIN L</creatorcontrib><creatorcontrib>RIPPINGTON, DAVID ERIC</creatorcontrib><title>Auf seinen beiden voneinander wegweisenden Breitseiten je ein Substrat tragender Substratträger</title><description>Die Erfindung betrifft einen Substratträger und einen mit dem Substratträger zusammenwirkenden CVD-Reaktor zur Anordnung in einem CVD- oder PVD-Reaktor (20), insbesondere zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen, oder Graphene mit einer ersten Breitseitenfläche (2) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (6) und einer von der ersten Breitseitenfläche (2) wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (3). Um eine Vorrichtung oder Teile einer Vorrichtung zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass die erste Breitseitenfläche (2) und die zweite Breitseitenfläche (3) jeweils eine Substrat-Aufnahmezone (4, 5) aufweisen, in denen Fixierelemente (14, 14', 15) vorgesehen sind, mit denen jeweils ein Substrat (6) oder Abschnitte eines Substrates (6) an der Breitseitenfläche (2, 3) befestigbar ist. Außerdem betrifft die Erfindung einen CVD-Reaktor mit einem Substratträger (1).
A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</description><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZEhwLE1TKE7NzEvNU0hKzUwBUmX5eUB-Yl5KapFCeWp6eWpmcWoeSMKpKDWzBKi2BMjOSlUAKlIILk0qLilKLFEAEumpYC0woZKiw0vSU4t4GFjTEnOKU3mhNDeDqptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakm8i6uhgZGBoYmhgYmBgaWjoTGx6gA2REAQ</recordid><startdate>20150924</startdate><enddate>20150924</enddate><creator>JOUVRAY, ALEXANDRE</creator><creator>TEO, KENNETH</creator><creator>RUPESINGHE, NALIN L</creator><creator>RIPPINGTON, DAVID ERIC</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150924</creationdate><title>Auf seinen beiden voneinander wegweisenden Breitseiten je ein Substrat tragender Substratträger</title><author>JOUVRAY, ALEXANDRE ; TEO, KENNETH ; RUPESINGHE, NALIN L ; RIPPINGTON, DAVID ERIC</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102014104009A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2015</creationdate><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>JOUVRAY, ALEXANDRE</creatorcontrib><creatorcontrib>TEO, KENNETH</creatorcontrib><creatorcontrib>RUPESINGHE, NALIN L</creatorcontrib><creatorcontrib>RIPPINGTON, DAVID ERIC</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>JOUVRAY, ALEXANDRE</au><au>TEO, KENNETH</au><au>RUPESINGHE, NALIN L</au><au>RIPPINGTON, DAVID ERIC</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Auf seinen beiden voneinander wegweisenden Breitseiten je ein Substrat tragender Substratträger</title><date>2015-09-24</date><risdate>2015</risdate><abstract>Die Erfindung betrifft einen Substratträger und einen mit dem Substratträger zusammenwirkenden CVD-Reaktor zur Anordnung in einem CVD- oder PVD-Reaktor (20), insbesondere zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen, oder Graphene mit einer ersten Breitseitenfläche (2) zur Aufnahme eines zu beschichtenden Substrates (6) und einer von der ersten Breitseitenfläche (2) wegweisenden zweiten Breitseitenfläche (3). Um eine Vorrichtung oder Teile einer Vorrichtung zum Abscheiden von Kohlenstoff-Nano-Röhrchen zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass die erste Breitseitenfläche (2) und die zweite Breitseitenfläche (3) jeweils eine Substrat-Aufnahmezone (4, 5) aufweisen, in denen Fixierelemente (14, 14', 15) vorgesehen sind, mit denen jeweils ein Substrat (6) oder Abschnitte eines Substrates (6) an der Breitseitenfläche (2, 3) befestigbar ist. Außerdem betrifft die Erfindung einen CVD-Reaktor mit einem Substratträger (1).
A substrate carrier is configured to be arranged in a CVD or PVD reactor, in particular for the deposition of carbon nanotubes or graphene. The substrate carrier has a first broadside surface and a second broadside surface facing away from the first broad-side surface. The first broadside surface and the second broadside surface of the substrate carrier each have a substrate accommodation zone. Fastening elements are provided within each of the substrate accommodation zones to secure a substrate or sections of a substrate to one or more of the broadside surfaces. A CVD reactor is further configured to receive the substrate carrier.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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