Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement

Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement

Es wird ein fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (9) in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (13) mit folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (7), der eine Halbleiterschichtenfolge (11) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halble...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HOIBL, SEBASTIAN, BÖHM, BERND
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
CINEMATOGRAPHY
ELECTROGRAPHY
HOLOGRAPHY
MATERIALS THEREFOR
ORIGINALS THEREFOR
PHOTOGRAPHY
PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES
PHYSICS
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creator HOIBL, SEBASTIAN
BÖHM, BERND
description Es wird ein fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (9) in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (13) mit folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers (7), der eine Halbleiterschichtenfolge (11) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (13) aufweist, - Aufbringen einer Fotolackschicht (4) auf den Halbleiterwafer (7), - Bereitstellen einer Maske (1), welche mindestens ein Maskenelement (2) aufweist, - Anordnen der Maske (1) relativ zu dem beschichteten Halbleiterwafer (7) an einer ersten Position (x1), - Belichtung der Fotolackschicht (4) und Abbilden der Maske (1) in der Fotolackschicht (4), - Anordnen der Maske (1) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (7) an einer von der ersten Position (x1) verschiedenen zweiten Position (x2), - erneute Belichtung der Fotolackschicht (4) und Abbilden der Maske (1) in der Fotolackschicht (4), - Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht (4) und Strukturierung des Halbleiterwafers (7) mittels der strukturierten Fotolackschicht (4), wobei am Halbleiterwafer (7) mindestens ein Strukturelement (10) ausgebildet wird, und wobei mindestens eine laterale Abmessung (d'') des Strukturelements (10) kleiner ist als eine entsprechende laterale Abmessung (d) des Maskenelements (2), - Vereinzelung des Halbleiterwafers (7) in eine Mehrzahl von Strahlung emittierenden Halbleiterbauelementen (13), die jeweils eine Struktur (9) aufweisen, die mindestens ein Strukturelement (10) umfasst.
format Patent
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