Method for manufacturing back contact solar cell, involves diffusing second type dopant containing paste into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions by sintering second type dopant containing paste

The method involves diffusing (10) the first type dopant doped in a volume with the same dopant type solar cell substrate (50) for the purpose of forming front side panel (52) and rear side panel (54). The masking layer (62) is formed (16) on the back of the solar cell substrate. The second type dop...

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1. Verfasser:	ISENBERG, JOERG
Format:	Patent
Sprache:	eng ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator	ISENBERG, JOERG
description	The method involves diffusing (10) the first type dopant doped in a volume with the same dopant type solar cell substrate (50) for the purpose of forming front side panel (52) and rear side panel (54). The masking layer (62) is formed (16) on the back of the solar cell substrate. The second type dopant containing paste (72) is formed (20) on the back of the solar cell substrate. The second type dopant containing paste is diffused (21) into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions (66) by sintering second type dopant containing the paste. Verfahren zur Herstellung einer Rückkontaktsolarzelle (100; 200) mit einem auf deren Rückseite angeordneten Emitter (74; 178) aufweisend Schritte des Eindiffundierens (10) von Dotierstoff ersten Typs in ein mit Dotierstoff gleichen Typs volumendotiertes Solarzellensubstrat (50) zum Zwecke des Ausbildens (10) eines Vorderseitenfeldes (52) und eines Rückseitenfeldes (54; 150), wobei die Eindiffusion (10) zumindest auf einer Vorderseite und einer Rückseite des Solarzellensubstrats (50) erfolgt, des nachfolgenden Ausbildens (16; 124) einer Maskierungsschicht (62; 160) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50), des nachfolgenden Bereitstellens (20) einer Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50) und des nachfolgenden Eindiffundierens (21; 128) von Dotierstoff zweiten Typs aus der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) in das Solarzellensubstrat (50) in Emitterdotierungsbereichen (66; 166) mittels Sinterns (21; 126) der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170).
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The masking layer (62) is formed (16) on the back of the solar cell substrate. The second type dopant containing paste (72) is formed (20) on the back of the solar cell substrate. The second type dopant containing paste is diffused (21) into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions (66) by sintering second type dopant containing the paste. Verfahren zur Herstellung einer Rückkontaktsolarzelle (100; 200) mit einem auf deren Rückseite angeordneten Emitter (74; 178) aufweisend Schritte des Eindiffundierens (10) von Dotierstoff ersten Typs in ein mit Dotierstoff gleichen Typs volumendotiertes Solarzellensubstrat (50) zum Zwecke des Ausbildens (10) eines Vorderseitenfeldes (52) und eines Rückseitenfeldes (54; 150), wobei die Eindiffusion (10) zumindest auf einer Vorderseite und einer Rückseite des Solarzellensubstrats (50) erfolgt, des nachfolgenden Ausbildens (16; 124) einer Maskierungsschicht (62; 160) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50), des nachfolgenden Bereitstellens (20) einer Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50) und des nachfolgenden Eindiffundierens (21; 128) von Dotierstoff zweiten Typs aus der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) in das Solarzellensubstrat (50) in Emitterdotierungsbereichen (66; 166) mittels Sinterns (21; 126) der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170).</description><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2013</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130919&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102013102574A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25543,76293</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20130919&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102013102574A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ISENBERG, JOERG</creatorcontrib><title>Method for manufacturing back contact solar cell, involves diffusing second type dopant containing paste into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions by sintering second type dopant containing paste</title><description>The method involves diffusing (10) the first type dopant doped in a volume with the same dopant type solar cell substrate (50) for the purpose of forming front side panel (52) and rear side panel (54). 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Verfahren zur Herstellung einer Rückkontaktsolarzelle (100; 200) mit einem auf deren Rückseite angeordneten Emitter (74; 178) aufweisend Schritte des Eindiffundierens (10) von Dotierstoff ersten Typs in ein mit Dotierstoff gleichen Typs volumendotiertes Solarzellensubstrat (50) zum Zwecke des Ausbildens (10) eines Vorderseitenfeldes (52) und eines Rückseitenfeldes (54; 150), wobei die Eindiffusion (10) zumindest auf einer Vorderseite und einer Rückseite des Solarzellensubstrats (50) erfolgt, des nachfolgenden Ausbildens (16; 124) einer Maskierungsschicht (62; 160) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50), des nachfolgenden Bereitstellens (20) einer Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50) und des nachfolgenden Eindiffundierens (21; 128) von Dotierstoff zweiten Typs aus der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) in das Solarzellensubstrat (50) in Emitterdotierungsbereichen (66; 166) mittels Sinterns (21; 126) der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170).</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjr1uAkEMhK-hiJK8gxu6IHEhKDUiRGnS0SPfnpes2LVXax_SPSsvk-WnoKSxJc83M35qTr9kf9KDlwIJefDobCiB99ChO4ATtnoBlYgFHMX4BoGPEo-k0AfvBz2zShXswcZM0EtGtqsz8FnNqEbVZnKXAzp0agUvSqVTEp5RCmZUrkEh5fqJjVBoH4QVuhFqW9UfrHxpJh6j0uttPzfT7812_TOjLDvSjI6YbPe1aefv83ZR5_LzY9UuHuX-AeWWbmo</recordid><startdate>20130919</startdate><enddate>20130919</enddate><creator>ISENBERG, JOERG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20130919</creationdate><title>Method for manufacturing back contact solar cell, involves diffusing second type dopant containing paste into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions by sintering second type dopant containing paste</title><author>ISENBERG, JOERG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102013102574A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2013</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ISENBERG, JOERG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ISENBERG, JOERG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Method for manufacturing back contact solar cell, involves diffusing second type dopant containing paste into solar cell substrate in common-emitter type impurity regions by sintering second type dopant containing paste</title><date>2013-09-19</date><risdate>2013</risdate><abstract>The method involves diffusing (10) the first type dopant doped in a volume with the same dopant type solar cell substrate (50) for the purpose of forming front side panel (52) and rear side panel (54). 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Verfahren zur Herstellung einer Rückkontaktsolarzelle (100; 200) mit einem auf deren Rückseite angeordneten Emitter (74; 178) aufweisend Schritte des Eindiffundierens (10) von Dotierstoff ersten Typs in ein mit Dotierstoff gleichen Typs volumendotiertes Solarzellensubstrat (50) zum Zwecke des Ausbildens (10) eines Vorderseitenfeldes (52) und eines Rückseitenfeldes (54; 150), wobei die Eindiffusion (10) zumindest auf einer Vorderseite und einer Rückseite des Solarzellensubstrats (50) erfolgt, des nachfolgenden Ausbildens (16; 124) einer Maskierungsschicht (62; 160) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50), des nachfolgenden Bereitstellens (20) einer Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) auf der Rückseite des Solarzellensubstrats (50) und des nachfolgenden Eindiffundierens (21; 128) von Dotierstoff zweiten Typs aus der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170) in das Solarzellensubstrat (50) in Emitterdotierungsbereichen (66; 166) mittels Sinterns (21; 126) der Dotierstoff zweiten Typs enthaltenden Paste (72; 170).</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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