Leistungshalbleitereinrichtung und ein Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitereinrichtung

Leistungshalbleitereinrichtung mit einem Substrat (2), wobei das Substrat (2) einen elektrisch nicht leitenden Isolierstoffkörper (4) und eine auf einer ersten Seite (22) des Isolierstoffkörpers (4) angeordnete und mit dem Isolierstoffkörper (4) verbundene elektrisch leitende erste Leiterbahn (5a) aufweist, wobei auf der ersten Leiterbahn (5a) ein erstes Leistungshalbleiterbauelement (T1), das einen ersten und einen zweiten Laststromanschluss (C, E) aufweist, angeordnet ist und der erste Laststromanschluss (C) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit der ersten Leiterbahn (5a) verbunden ist, wobei ein um den lateralen Rand (14) des Leistungshalbleiterbauelements (T1) umlaufender elektrisch nicht leitender Isolationskörper (12, 12') auf der ersten Leiterbahn (5a) angeordnet ist, wobei der Isolationskörper (12, 12') als keramischer Grünling (12') ausgebildet ist oder aus einer gebrannten Keramik (12) besteht, wobei der zweite Laststromanschluss (E) des ersten Leistungshalbleiterbauelements (T1) mit einer elektrischen Verbindungseinrichtung (11) verbunden ist, wobei die elektrische Verbindungseinrichtung (11) als Folienverbund (11), der eine erste metallische Folienschicht (8) und eine mit der ersten metallischen Folienschicht (8) verbundene elektrisch isolierende Folienschicht (9) aufweist, ausgebildet ist. The device (1) has a substrate (2) that comprises an electrically conductive conductor line (5a) which is arranged on a side surface (22) of an electrically non-conductive insulating material (4). A power semiconductor component (T1) having a lower and upper load current terminals (C,E) is located on the conductor line. The lower load current terminal of the semiconductor component is connected with the conductor line. The lateral edges (14) of the semiconductor component is arranged on the conductor line, circumferential adjacent to an electrically non-conductive insulator (12,12'). An independent claim is included for a method of manufacturing a power semiconductor device.