Hybrid integriertes Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

Hybrid integriertes Bauteil (100), mindestens umfassend* ein ASIC-Bauelement (10) mit integrierten Schaltungselementen (12) und einem Backendstapel (13),* ein MEMS-Bauelement mit einem MEMS-Substrat (20) und mit einer mikromechanischen Struktur, die sich über die gesamte Dicke des MEMS-Substrats (20...

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1. Verfasser: Weber, Heribert
Format: Patent
Sprache:ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Hybrid integriertes Bauteil (100), mindestens umfassend* ein ASIC-Bauelement (10) mit integrierten Schaltungselementen (12) und einem Backendstapel (13),* ein MEMS-Bauelement mit einem MEMS-Substrat (20) und mit einer mikromechanischen Struktur, die sich über die gesamte Dicke des MEMS-Substrats (20) erstreckt, und* einen Kappenwafer (30), wobei das MEMS-Bauelement auf dem ASIC-Bauelement (10) montiert ist, so dass zwischen der mikromechanischen Struktur und dem Backendstapel (13) des ASIC-Bauelements (10) ein Spalt (21) besteht, und wobei der Kappenwafer (30) über der mikromechanischen Struktur des MEMS-Bauelements (20) montiert ist; dadurch gekennzeichnet, dass im Backendstapel (13) des ASIC-Bauelements (10) eine druckempfindliche Membranstruktur (16) mit mindestens einer auslenkbaren Elektrode einer Kondensatoranordnung ausgebildet ist und dass die Membranstruktur (16) einen Druckanschluss (17) in der Rückseite des ASIC-Bauelements (10) überspannt. A hybrid integrated component includes: at least one ASIC element having integrated circuit elements and a back-end stack; an MEMS element having a micromechanical structure, which extends over the entire thickness of the MEMS substrate; and a cap wafer. The hybrid integrated component is provided with an additional micromechanical function. The MEMS element is mounted on the ASIC element, so that a gap exists between the micromechanical structure and the back-end stack of the ASIC element. The cap wafer is mounted above the micromechanical structure of the MEMS element. A pressure-sensitive diaphragm structure having at least one deflectable electrode of a capacitor system is implemented in the back-end stack of the ASIC element, which diaphragm structure spans a pressure connection in the rear side of the ASIC element.