Dummy-Strukturen und Verfahren

Es werden ein Halbleiterbauelement (200) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (200) offenbart. Das Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (200) weist auf: Ausbilden einer Materialschicht auf einem Substrat (230), Strukturieren eines ersten halbglobalen Gebiets (210) mit einem ersten Hauptmuster und Strukturieren eines zweiten halbglobalen Gebiets (220) mit einem zweiten Hauptmuster, wobei das erste Hauptmuster von dem zweiten Hauptmuster verschieden ist. Das Verfahren umfasst weiterhin: Einführen eines ersten Dummy-Musters in dem ersten halbglobalen Gebiet (210), so dass eine erste Seitenwandbereichsoberflächendichte des ersten Hauptmusters und des ersten Dummy-Musters in dem ersten halbglobalen Gebiet (210) und eine zweite Seitenwandbereichsoberflächendichte des zweiten Hauptmusters in dem zweiten halbglobalen Gebiet (220) im Wesentlichen eine gleiche Dichte aufweisen. A semiconductor device and a method of making a semiconductor device are disclosed. The method of manufacturing a semiconductor device comprises forming a material layer on a substrate, patterning a first semi-global region with a first main pattern and patterning a second semi-global region with a second main pattern, wherein the first main pattern is different than the second main pattern. The method further comprises introducing a first dummy pattern in the first semi-global region so that a first sidewall area surface density of the first main pattern and the first dummy pattern in the first semi-global region and a second sidewall area surface density of the second main pattern in the second semi-global region are substantially a same density.