Verfahren zur Herstellung eines gerichtet erstarrten Materialkörpers aus Silizium oder Germanium, Wafer aus Silizium oder Germanium, sowie Verwendungen hiervon

Verfahren zur Herstellung eines Materialblocks aus Silizium oder Germanium durch gerichtetes Erstarren aus einer Schmelze, wobeiein Schmelztiegel (1) vorbereitet wird, indem dessen Boden mit einer Mehrzahl von dünnen monokristallinen Keimkristallplatten (2a-2d) aus Silizium oder Germanium mit einer...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Kropfgans, Frieder, Birkmann, Bernhard
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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