Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund
Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund, die jeweils einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1a), einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip (1b) und einen Rahmen (5) aufweisen, mit folgenden Verfahrensschritten:A) Bereitstellen eines...
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| creator | Lermer, Markus Haushalter, Martin |
| description | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund, die jeweils einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1a), einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip (1b) und einen Rahmen (5) aufweisen, mit folgenden Verfahrensschritten:A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (2),B) Aufbringen und elektrisches Kontaktieren einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1a) und strahlungsdetektierenden Halbleiterchips (1b) auf das Trägersubstrat (2), wobei jeweils einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1a) ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip (1b) zugeordnet wird,C) Vergießen der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1a) mit einer ersten Vergussmasse (3a),D) Vergießen der Mehrzahl der strahlungsdetektierenden Halbleiterchips (1b) mit einer zweiten Vergussmasse (3b),E) Durchtrennen der ersten und zweiten Vergussmasse (3a, 3b) mittels Sägen zwischen benachbarten Halbleiterchips,F) Aufbringen eines gemeinsamen Rahmens (5) auf das Trägersubstrat (2), der eine Mehrzahl von nach oben offenen Kammern (6a, 6b) aufweist, wobei der Rahmen (5) so angeordnet wird, dass jeweils ein Halbleiterchip (1a, 1b) in jeweils einer Kammer (6a, 6b) des Rahmens (5) angeordnet wird, und wobei der gemeinsame Rahmen (5) mit einer Klebeschicht (7) auf dem Trägersubstrat (2) befestigt wird, wobei der gemeinsame Rahmen (5) in einem separaten Spritzgußverfahren hergestellt wird.
A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components in combination is specified. A plurality of radiation-emitting and radiation-detecting semiconductor chips are applied on a carrier substrate. The semiconductor chips are potted with a respective potting compound. The potting compounds are subsequently severed by sawing between adjacent semiconductor chips. A common frame is subsequently applied to the carrier substrate The common frame has a plurality of chambers open toward the top. The frame is arranged in such a way that a respective semiconductor chip is arranged in a respective chamber of the frame. A semiconductor component produced in such a way and the use of the semiconductor component are furthermore specified. |
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A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components in combination is specified. A plurality of radiation-emitting and radiation-detecting semiconductor chips are applied on a carrier substrate. The semiconductor chips are potted with a respective potting compound. The potting compounds are subsequently severed by sawing between adjacent semiconductor chips. A common frame is subsequently applied to the carrier substrate The common frame has a plurality of chambers open toward the top. The frame is arranged in such a way that a respective semiconductor chip is arranged in a respective chamber of the frame. A semiconductor component produced in such a way and the use of the semiconductor component are furthermore specified.</description><language>ger</language><subject>ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; COLORIMETRY ; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION ORRERADIATION OF RADIO WAVES ; MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT,POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED,VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT ; MEASURING ; PHYSICS ; RADIATION PYROMETRY ; RADIO DIRECTION-FINDING ; RADIO NAVIGATION ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TESTING</subject><creationdate>2021</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211223&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102011105374B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20211223&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102011105374B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Lermer, Markus</creatorcontrib><creatorcontrib>Haushalter, Martin</creatorcontrib><title>Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund</title><description>Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen im Verbund, die jeweils einen strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1a), einen strahlungsdetektierenden Halbleiterchip (1b) und einen Rahmen (5) aufweisen, mit folgenden Verfahrensschritten:A) Bereitstellen eines Trägersubstrats (2),B) Aufbringen und elektrisches Kontaktieren einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1a) und strahlungsdetektierenden Halbleiterchips (1b) auf das Trägersubstrat (2), wobei jeweils einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1a) ein strahlungsdetektierender Halbleiterchip (1b) zugeordnet wird,C) Vergießen der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1a) mit einer ersten Vergussmasse (3a),D) Vergießen der Mehrzahl der strahlungsdetektierenden Halbleiterchips (1b) mit einer zweiten Vergussmasse (3b),E) Durchtrennen der ersten und zweiten Vergussmasse (3a, 3b) mittels Sägen zwischen benachbarten Halbleiterchips,F) Aufbringen eines gemeinsamen Rahmens (5) auf das Trägersubstrat (2), der eine Mehrzahl von nach oben offenen Kammern (6a, 6b) aufweist, wobei der Rahmen (5) so angeordnet wird, dass jeweils ein Halbleiterchip (1a, 1b) in jeweils einer Kammer (6a, 6b) des Rahmens (5) angeordnet wird, und wobei der gemeinsame Rahmen (5) mit einer Klebeschicht (7) auf dem Trägersubstrat (2) befestigt wird, wobei der gemeinsame Rahmen (5) in einem separaten Spritzgußverfahren hergestellt wird.
A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components in combination is specified. A plurality of radiation-emitting and radiation-detecting semiconductor chips are applied on a carrier substrate. The semiconductor chips are potted with a respective potting compound. The potting compounds are subsequently severed by sawing between adjacent semiconductor chips. A common frame is subsequently applied to the carrier substrate The common frame has a plurality of chambers open toward the top. The frame is arranged in such a way that a respective semiconductor chip is arranged in a respective chamber of the frame. 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A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components in combination is specified. A plurality of radiation-emitting and radiation-detecting semiconductor chips are applied on a carrier substrate. The semiconductor chips are potted with a respective potting compound. The potting compounds are subsequently severed by sawing between adjacent semiconductor chips. A common frame is subsequently applied to the carrier substrate The common frame has a plurality of chambers open toward the top. The frame is arranged in such a way that a respective semiconductor chip is arranged in a respective chamber of the frame. A semiconductor component produced in such a way and the use of the semiconductor component are furthermore specified.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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