Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe

Ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: - Ausbilden einer aktiven Schicht (320a) und einer unteren Kondensatorelektrode (320b) auf einem Substrat (310); - Ausbilden einer Gateisolationsschicht (325) auf der aktiven Schicht (3...

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Hauptverfasser:	Seo, Seongmoh, Lee, Sangjin, Lee, Seokwoo, Kim, Hyunho, Choi, Heedong
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	ADVERTISING BASIC ELECTRIC ELEMENTS CRYPTOGRAPHY DISPLAY DISPLAYING EDUCATION ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY LABELS OR NAME-PLATES PHYSICS SEALS SEMICONDUCTOR DEVICES SIGNS
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creator	Seo, Seongmoh Lee, Sangjin Lee, Seokwoo Kim, Hyunho Choi, Heedong
description	Ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: - Ausbilden einer aktiven Schicht (320a) und einer unteren Kondensatorelektrode (320b) auf einem Substrat (310); - Ausbilden einer Gateisolationsschicht (325) auf der aktiven Schicht (320a) und der unteren Kondensatorelektrode (320b); - Sequentielles Stapeln einer Metalloxidschicht (330) und einer Metallschicht (335) auf der Gateisolationsschicht (325), Auftragen einer ersten photosensitiven Schicht (340) auf die Metallschicht (355), und Strukturieren der ersten photosensitiven (340) Schicht unter Verwendung einer Halbtonmaske (350), um ein erstes photosensitives Muster (355) und ein zweites photosensitives Muster (356) jeweils mit unterschiedlicher Dicke auszubilden; - Ätzen der Metalloxidschicht (330) und der Metallschicht (355), um ein Gateelektrodenmuster (360), ein oberes Kondensatorelektrodenmuster (365) und ein erstes Elektrodenmuster (367) auszubilden; - Aschen des ersten photosensitiven Musters (355) und des zweiten photosensitiven Musters (356), um eine Dicke des ersten photosensitiven Musters (355) zu reduzieren und um das zweite photosensitive Muster (356) zu entfernen; - Ätzen der Metallschicht (335) des oberen Kondensatorelektrodenmusters (365) und der Metallschicht (335) des ersten Elektrodenmusters (367), die durch das Entfernen des zweiten photosensitiven Musters (356) freigelegt sind, um eine obere Kondensatorelektrode (365) und eine erste Elektrode (367) auszubilden; und - Entfernen des ersten photosensitiven Musters (355), um eine Gateelektrode (360) auszubilden; - Ausbilden einer Zwischenisolationsschicht (370) auf der Gateelektrode (360), der oberen Kondensatorelektrode (365) und der ersten Elektrode (367); - Ausbilden einer Sourceelektrode (380a) und einer Drainelektrode (380b) auf der Zwischenisolationsschicht (370); - Auftragen einer zweiten photosensitiven Schicht (390) auf der Sourceelektrode (380a) und der Drainelektrode (380b), und Strukturieren der zweiten photosensitiven Schicht (390) unter Verwendung einer zweiten Halbtonmaske (380), um eine Dammschicht (391) und einen Abstandshalter (392) auszubilden; ... An organic light emitting diode (OLED) display and a method for manufacturing the same are provided. The OLED display includes a substrate, an active layer and a capacitor lower electrode positioned on the substrate, a gate insulating layer positioned on the active layer and the capacitor lower electrode, a ga
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An organic light emitting diode (OLED) display and a method for manufacturing the same are provided. The OLED display includes a substrate, an active layer and a capacitor lower electrode positioned on the substrate, a gate insulating layer positioned on the active layer and the capacitor lower electrode, a gate electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the active layer, a capacitor upper electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the capacitor lower electrode, a first electrode positioned to be separated from the gate electrode and the capacitor upper electrode, an interlayer insulating layer positioned on the gate electrode, the capacitor upper electrode, and the first electrode, a source electrode and a drain electrode positioned on the interlayer insulating layer, and a bank layer positioned on the source and drain electrodes.</description><language>ger</language><subject>ADVERTISING ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CRYPTOGRAPHY ; DISPLAY ; DISPLAYING ; EDUCATION ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; LABELS OR NAME-PLATES ; PHYSICS ; SEALS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SIGNS</subject><creationdate>2016</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160630&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102011053665B4$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20160630&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102011053665B4$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Seo, Seongmoh</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, Sangjin</creatorcontrib><creatorcontrib>Lee, Seokwoo</creatorcontrib><creatorcontrib>Kim, Hyunho</creatorcontrib><creatorcontrib>Choi, Heedong</creatorcontrib><title>Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe</title><description>Ein Herstellungsverfahren für eine Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden (OLED), umfassend: - Ausbilden einer aktiven Schicht (320a) und einer unteren Kondensatorelektrode (320b) auf einem Substrat (310); - Ausbilden einer Gateisolationsschicht (325) auf der aktiven Schicht (320a) und der unteren Kondensatorelektrode (320b); - Sequentielles Stapeln einer Metalloxidschicht (330) und einer Metallschicht (335) auf der Gateisolationsschicht (325), Auftragen einer ersten photosensitiven Schicht (340) auf die Metallschicht (355), und Strukturieren der ersten photosensitiven (340) Schicht unter Verwendung einer Halbtonmaske (350), um ein erstes photosensitives Muster (355) und ein zweites photosensitives Muster (356) jeweils mit unterschiedlicher Dicke auszubilden; - Ätzen der Metalloxidschicht (330) und der Metallschicht (355), um ein Gateelektrodenmuster (360), ein oberes Kondensatorelektrodenmuster (365) und ein erstes Elektrodenmuster (367) auszubilden; - Aschen des ersten photosensitiven Musters (355) und des zweiten photosensitiven Musters (356), um eine Dicke des ersten photosensitiven Musters (355) zu reduzieren und um das zweite photosensitive Muster (356) zu entfernen; - Ätzen der Metallschicht (335) des oberen Kondensatorelektrodenmusters (365) und der Metallschicht (335) des ersten Elektrodenmusters (367), die durch das Entfernen des zweiten photosensitiven Musters (356) freigelegt sind, um eine obere Kondensatorelektrode (365) und eine erste Elektrode (367) auszubilden; und - Entfernen des ersten photosensitiven Musters (355), um eine Gateelektrode (360) auszubilden; - Ausbilden einer Zwischenisolationsschicht (370) auf der Gateelektrode (360), der oberen Kondensatorelektrode (365) und der ersten Elektrode (367); - Ausbilden einer Sourceelektrode (380a) und einer Drainelektrode (380b) auf der Zwischenisolationsschicht (370); - Auftragen einer zweiten photosensitiven Schicht (390) auf der Sourceelektrode (380a) und der Drainelektrode (380b), und Strukturieren der zweiten photosensitiven Schicht (390) unter Verwendung einer zweiten Halbtonmaske (380), um eine Dammschicht (391) und einen Abstandshalter (392) auszubilden; ... An organic light emitting diode (OLED) display and a method for manufacturing the same are provided. The OLED display includes a substrate, an active layer and a capacitor lower electrode positioned on the substrate, a gate insulating layer positioned on the active layer and the capacitor lower electrode, a gate electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the active layer, a capacitor upper electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the capacitor lower electrode, a first electrode positioned to be separated from the gate electrode and the capacitor upper electrode, an interlayer insulating layer positioned on the gate electrode, the capacitor upper electrode, and the first electrode, a source electrode and a drain electrode positioned on the interlayer insulating layer, and a bank layer positioned on the source and drain electrodes.</description><subject>ADVERTISING</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CRYPTOGRAPHY</subject><subject>DISPLAY</subject><subject>DISPLAYING</subject><subject>EDUCATION</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>LABELS OR NAME-PLATES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SEALS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SIGNS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2016</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNi7EOgjAURVkcjPoPXRxNigi7CoYPcCeVXqBJfSWvhcFvc_PHLIkf4HSSc89dJ_pML5ges2M27RAm6sXTBOG4V2R8O4CEXQZEGwwYpKMqjVswkRY12AdYG59-BndqiI3oPm8W2sDDPrBNVp2yHrsfN8n-Vt2v9QGja-BH1YIQmrJK5VGmqcyzosgvp-zf7gsOK0KS</recordid><startdate>20160630</startdate><enddate>20160630</enddate><creator>Seo, Seongmoh</creator><creator>Lee, Sangjin</creator><creator>Lee, Seokwoo</creator><creator>Kim, Hyunho</creator><creator>Choi, Heedong</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20160630</creationdate><title>Anzeigevorrichtung mit organischen lichtemittierenden Dioden und Herstellungsverfahren für dieselbe</title><author>Seo, Seongmoh ; 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- Ausbilden einer Gateisolationsschicht (325) auf der aktiven Schicht (320a) und der unteren Kondensatorelektrode (320b); - Sequentielles Stapeln einer Metalloxidschicht (330) und einer Metallschicht (335) auf der Gateisolationsschicht (325), Auftragen einer ersten photosensitiven Schicht (340) auf die Metallschicht (355), und Strukturieren der ersten photosensitiven (340) Schicht unter Verwendung einer Halbtonmaske (350), um ein erstes photosensitives Muster (355) und ein zweites photosensitives Muster (356) jeweils mit unterschiedlicher Dicke auszubilden; - Ätzen der Metalloxidschicht (330) und der Metallschicht (355), um ein Gateelektrodenmuster (360), ein oberes Kondensatorelektrodenmuster (365) und ein erstes Elektrodenmuster (367) auszubilden; - Aschen des ersten photosensitiven Musters (355) und des zweiten photosensitiven Musters (356), um eine Dicke des ersten photosensitiven Musters (355) zu reduzieren und um das zweite photosensitive Muster (356) zu entfernen; - Ätzen der Metallschicht (335) des oberen Kondensatorelektrodenmusters (365) und der Metallschicht (335) des ersten Elektrodenmusters (367), die durch das Entfernen des zweiten photosensitiven Musters (356) freigelegt sind, um eine obere Kondensatorelektrode (365) und eine erste Elektrode (367) auszubilden; und - Entfernen des ersten photosensitiven Musters (355), um eine Gateelektrode (360) auszubilden; - Ausbilden einer Zwischenisolationsschicht (370) auf der Gateelektrode (360), der oberen Kondensatorelektrode (365) und der ersten Elektrode (367); - Ausbilden einer Sourceelektrode (380a) und einer Drainelektrode (380b) auf der Zwischenisolationsschicht (370); - Auftragen einer zweiten photosensitiven Schicht (390) auf der Sourceelektrode (380a) und der Drainelektrode (380b), und Strukturieren der zweiten photosensitiven Schicht (390) unter Verwendung einer zweiten Halbtonmaske (380), um eine Dammschicht (391) und einen Abstandshalter (392) auszubilden; ... An organic light emitting diode (OLED) display and a method for manufacturing the same are provided. The OLED display includes a substrate, an active layer and a capacitor lower electrode positioned on the substrate, a gate insulating layer positioned on the active layer and the capacitor lower electrode, a gate electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the active layer, a capacitor upper electrode positioned on the gate insulating layer at a location corresponding to the capacitor lower electrode, a first electrode positioned to be separated from the gate electrode and the capacitor upper electrode, an interlayer insulating layer positioned on the gate electrode, the capacitor upper electrode, and the first electrode, a source electrode and a drain electrode positioned on the interlayer insulating layer, and a bank layer positioned on the source and drain electrodes.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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