Halbleiterstruktur und Verfahren zu deren Herstellung

Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen ein Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, das Folgendes beinhaltet: Ausbilden einer Halbleiterschicht (230) und Ausbilden einer Dielektrikumsschicht (240) über einer Rückseite der Halbleiterschicht (230). Bei einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Dielektrikumsschicht (240) eine Silikonkautschukschicht (240) sein. One or more embodiments relate to a semiconductor structure, comprising: a silicon rubber layer; and a semiconductor layer overlying the silicon rubber layer.