Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit einem Glassubstrat

Es wird ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen offenbart. Es wird ein Halbleiterwafer (10) mit einer ersten Oberfläche (11) und einer zweiten Oberfläche (12) gegenüber der ersten Oberfläche (11) bereitgestellt. Es wird ein erstes Glassubstrat (20) bereitgestellt, das Hohlräume (21) und/oder Öffnungen an einer Bondoberfläche (22) aufweist. Das erste Glassubstrat (20) wird derart an die erste Oberfläche (11) des Halbleiterwafer (10) gebondet, dass die Metallpads (14, 15) innerhalb jeweiliger Hohlräume (21) oder Öffnungen des ersten Glassubstrats (20) angeordnet werden. Die zweite Oberfläche (12) des Halbleiterwafer (10) wird maschinell bearbeitet. Mindestens ein Metallisierungsgebiet (17, 18, 19) wird auf der maschinell bearbeiteten zweiten Oberfläche (12) des Halbleiterwafer (10) ausgebildet. A method for manufacturing semiconductor devices is disclosed. A semiconductor wafer is provided having a first surface and a second surface opposite to the first surface. A first glass substrate is provided which has at least one of cavities and openings at the bonding surface. The first glass substrate is bonded to the first surface of the semiconductor wafer such that the metal pads are arranged within respective cavities or openings of the first glass substrate. The second surface of the semiconductor wafer is machined. At least one metallization region is formed on the machined second surface of the semiconductor wafer.