Leiterbahnen und Anschlussflächen und Verfahren zu deren Herstellung

Leiterbahnen und Anschlussflächen und Verfahren zu deren Herstellung

Es werden eine Halbleitervorrichtung (100) und ein Verfahren offenbart. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht...

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Hauptverfasser: HAMPP, ROLAND, FISCHER, THOMAS, HOECKELE, UWE
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator HAMPP, ROLAND
FISCHER, THOMAS
HOECKELE, UWE
description Es werden eine Halbleitervorrichtung (100) und ein Verfahren offenbart. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht (120) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet und eine zweite leitende Schicht (130) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet. Die erste leitende Schicht (120) weist ein erstes leitendes Material auf und die zweite leitende Schicht (130) weist ein zweites leitendes Material auf, wobei sich das erste leitende Material von dem zweiten leitenden Material unterscheidet. Auf der ersten leitenden Schicht (120) ist eine Metallschicht (170) angeordnet. A semiconductor device and method are disclosed. The semiconductor device includes a substrate having a first region and a second region and an insulating layer arranged on the substrate. A first conductive layer is arranged in or on insulating layer in the first region and a second conductive layer is arranged in or on the insulating layer in the second region. The first conductive layer comprises a first conductive material and the second conductive layer comprises a second conductive material wherein the first conductive material is different than the second conductive material. A metal layer is arranged on the first conductive layer.
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Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht (120) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet und eine zweite leitende Schicht (130) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet. Die erste leitende Schicht (120) weist ein erstes leitendes Material auf und die zweite leitende Schicht (130) weist ein zweites leitendes Material auf, wobei sich das erste leitende Material von dem zweiten leitenden Material unterscheidet. Auf der ersten leitenden Schicht (120) ist eine Metallschicht (170) angeordnet. A semiconductor device and method are disclosed. The semiconductor device includes a substrate having a first region and a second region and an insulating layer arranged on the substrate. A first conductive layer is arranged in or on insulating layer in the first region and a second conductive layer is arranged in or on the insulating layer in the second region. The first conductive layer comprises a first conductive material and the second conductive layer comprises a second conductive material wherein the first conductive material is different than the second conductive material. 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Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht (120) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet und eine zweite leitende Schicht (130) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet. Die erste leitende Schicht (120) weist ein erstes leitendes Material auf und die zweite leitende Schicht (130) weist ein zweites leitendes Material auf, wobei sich das erste leitende Material von dem zweiten leitenden Material unterscheidet. Auf der ersten leitenden Schicht (120) ist eine Metallschicht (170) angeordnet. A semiconductor device and method are disclosed. The semiconductor device includes a substrate having a first region and a second region and an insulating layer arranged on the substrate. A first conductive layer is arranged in or on insulating layer in the first region and a second conductive layer is arranged in or on the insulating layer in the second region. The first conductive layer comprises a first conductive material and the second conductive layer comprises a second conductive material wherein the first conductive material is different than the second conductive material. 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