Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle

Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle die einen mittels einer ersten Dotierung in der gesamten Substratoberfläche eines Halbleitersubstrats, insbesondere einschließlich Kanten, erzeugten Emitterbereich und einen durch über-kompensierende zweite Dotierung erzeugten Basis-Kontaktbereich sowie einen die Tiefe des Emitterbereiches durchdringenden Trenngraben zur elektrischen Trennung des Emitterbereiches von dem Basis-Kontaktbereich aufweist, wobei zur Bildung des Trenngrabens eine Maskenschicht mittels eines lasergestützten lokalen Abtragens zur Vorzeichnung des Trenngrabens strukturiert und mit der strukturierten Maske der Trenngraben in die Emitterbereichs-Oberfläche eingeätzt wird. The invention relates to a method for producing a solar cell, which has an emitter region produced by means of a first doping process in the entire substrate surface of a semiconductor substrate, in particular including edges, a base contact region produced by means of an overcompensating second doping process, and an isolation trench, which penetrates the depth of the emitter region, in order to electrically isolate the emitter region from the base contact region, wherein in order to form the isolation trench, a masking layer is structured by means of laser-assisted local removal in order to trace the isolation trench and the isolation trench is etched into the surface of the emitter region by means of the structured mask.