Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate

Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei d...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: STELZL, ALOIS, KRUEGER, HANS, SCHMAJEW, ALEXANDER
Format: Patent
Sprache:ger
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator STELZL, ALOIS
KRUEGER, HANS
SCHMAJEW, ALEXANDER
description Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102010055935A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102010055935A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102010055935A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDAPSy1KS8woSs1TqCrNVQDykjLzUoC83FSgIBAqlOalp2YcXlJaXALkBJcmFZcUJZak8jCwpiXmFKfyQmluBlU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSSeBdXQwMjA0MDA1NTS2NTR0NjYtUBAMIHMJg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate</title><source>esp@cenet</source><creator>STELZL, ALOIS ; KRUEGER, HANS ; SCHMAJEW, ALEXANDER</creator><creatorcontrib>STELZL, ALOIS ; KRUEGER, HANS ; SCHMAJEW, ALEXANDER</creatorcontrib><description>Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES ; MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20120628&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102010055935A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20120628&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102010055935A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>STELZL, ALOIS</creatorcontrib><creatorcontrib>KRUEGER, HANS</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMAJEW, ALEXANDER</creatorcontrib><title>Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate</title><description>Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</subject><subject>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDAPSy1KS8woSs1TqCrNVQDykjLzUoC83FSgIBAqlOalp2YcXlJaXALkBJcmFZcUJZak8jCwpiXmFKfyQmluBlU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSSeBdXQwMjA0MDA1NTS2NTR0NjYtUBAMIHMJg</recordid><startdate>20120628</startdate><enddate>20120628</enddate><creator>STELZL, ALOIS</creator><creator>KRUEGER, HANS</creator><creator>SCHMAJEW, ALEXANDER</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120628</creationdate><title>Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate</title><author>STELZL, ALOIS ; KRUEGER, HANS ; SCHMAJEW, ALEXANDER</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102010055935A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2012</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES</topic><topic>MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>STELZL, ALOIS</creatorcontrib><creatorcontrib>KRUEGER, HANS</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMAJEW, ALEXANDER</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>STELZL, ALOIS</au><au>KRUEGER, HANS</au><au>SCHMAJEW, ALEXANDER</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate</title><date>2012-06-28</date><risdate>2012</risdate><abstract>Es wird ein Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate miteinander mit den folgenden Schritten vorgeschlagen: a) Ausbilden von Stufenstrukturen (1) auf und/oder in einer ersten Hauptfläche (10a) eines ersten Substrats (10), das eine Mehrzahl integrierter Schaltungen (8) aufweist, wobei die Stufenstrukturen (1) zwischen den integrierten Schaltungen (8) verlaufen, b) Ausbilden von ersten Leiterbahnen (11), die von zumindest einigen Kontaktanschlüssen (7) der jeweiligen integrierten Schaltungen (8) bis zu den Stufenstrukturen (1) reichen, c) Verbinden des ersten Substrats (10) auf der Seite seiner ersten Hauptfläche (10a) mit einem weiteren Substrat (13) oder mit einem Stapel (14) weiterer Substrate, vorzugsweise durch Substratbonden, d) Durchtrennen des ersten Substrats (10) von einer zur ersten Hauptfläche (10a) entgegengesetzten zweiten Hauptfläche (10b) her in der Weise, dass das erste Substrat (10) in eine Mehrzahl von Substratstücken (16), die jeweils eine der integrierten Schaltungen (8) aufweisen, zerteilt wird und in Zwischenräumen (18) zwischen den Substratstücken (16) die ersten Leiterbahnen (11) zugänglich werden, und e) Ausbilden von zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) her, wobei zumindest einige der zweiten Leiterbahnen (12) von der zweiten Hauptfläche (10b) über Seitenwände (17) der Substratstücke (16) bis zu den ersten Leiterbahnen (11) führen.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language ger
recordid cdi_epo_espacenet_DE102010055935A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC
GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS
MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICALDEVICES
MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
PERFORMING OPERATIONS
PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTUREOR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
SEMICONDUCTOR DEVICES
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
TRANSPORTING
title Verfahren zum Verbinden mehrerer ungehäuster Substrate
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-01T17%3A45%3A13IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=STELZL,%20ALOIS&rft.date=2012-06-28&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102010055935A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true