Halbleiterdrucksensor

Es wird ein Halbleiterdrucksensor bereitgestellt, welcher die Membranbruchdrucktoleranz verbessern kann. Enthalten sind: Ein erstes Halbleitersubstrat, auf dem ein Aussparungsabschnitt ausgebildet istner Dickenrichtung aufweist; ein zweites Halbleitersubstrat, das so angeordnet ist, dass dieses der ersten Oberfläche des ersten Halbleitersubstrats zugewandt ist; und ein erster Siliziumoxidfilm, der zwischen dem ersten Halbleitersubstrat und dem zweiten Halbleitersubstrat vorgesehen ist und auf dem eine Durchgangsöffnung ausgebildet ist, welche den Aussparungsabschnitt und das zweite Halbleitersubstrat in Kommunikation versetzt, und wobei wenigstens ein Abschnitt eines Randabschnitts der Durchgangsöffnung innerhalb eines Öffnungsrandabschnitt des Aussparungsabschnitts positioniert ist, betrachtet von einer Seite, welche der Durchgangsöffnung und der Öffnung des Aussparungsabschnitts zugewandt ist. A semiconductor pressure sensor that can improve diaphragm breakage pressure tolerance is provided. Included are: a first semiconductor substrate on which is formed a recess portion that has an opening on a first surface in a thickness direction; a second semiconductor substrate that is disposed so as to face the first surface of the first semiconductor substrate; and a first silicon oxide film that is interposed between the first semiconductor substrate and the second semiconductor substrate, and on which is formed a penetrating aperture that communicates between the recess portion and the second semiconductor substrate, and at least a portion of an edge portion of the penetrating aperture is positioned inside an opening edge portion of the recess portion when viewed from a side facing the penetrating aperture and the opening of the recess portion.