Optoelektronisches Bauelement
Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa...
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Sprache: | ger |
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creator | GROSSE, KRISTIN BAADE, TORSTEN |
description | Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 540 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480 nm.
An optoelectronic component includes a semiconductor chip that emits a primary radiation in the short-wave blue spectral range at a dominant wavelength of less than approximately 465 nm; and a phosphor that converts at least part of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range at a dominant wavelength of between approximately 490 nm and approximately 550 nm and at least partly surrounds the semiconductor chip, wherein a mixed light composed of primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of approximately 460 nm to approximately 480 nm such that a luminous flux of the mixed light is up to 130% greater than a luminous flux in an optoelectronic component without a phosphor having the same dominant wavelength in a range of 460 nm to 480 nm, and the phosphor is arranged in a lamina that bears directly on the semiconductor chip. |
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An optoelectronic component includes a semiconductor chip that emits a primary radiation in the short-wave blue spectral range at a dominant wavelength of less than approximately 465 nm; and a phosphor that converts at least part of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range at a dominant wavelength of between approximately 490 nm and approximately 550 nm and at least partly surrounds the semiconductor chip, wherein a mixed light composed of primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of approximately 460 nm to approximately 480 nm such that a luminous flux of the mixed light is up to 130% greater than a luminous flux in an optoelectronic component without a phosphor having the same dominant wavelength in a range of 460 nm to 480 nm, and the phosphor is arranged in a lamina that bears directly on the semiconductor chip.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2012</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120112&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102010031237A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20120112&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102010031237A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GROSSE, KRISTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>BAADE, TORSTEN</creatorcontrib><title>Optoelektronisches Bauelement</title><description>Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 540 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480 nm.
An optoelectronic component includes a semiconductor chip that emits a primary radiation in the short-wave blue spectral range at a dominant wavelength of less than approximately 465 nm; and a phosphor that converts at least part of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range at a dominant wavelength of between approximately 490 nm and approximately 550 nm and at least partly surrounds the semiconductor chip, wherein a mixed light composed of primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of approximately 460 nm to approximately 480 nm such that a luminous flux of the mixed light is up to 130% greater than a luminous flux in an optoelectronic component without a phosphor having the same dominant wavelength in a range of 460 nm to 480 nm, and the phosphor is arranged in a lamina that bears directly on the semiconductor chip.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2012</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJD1LyjJT81JzS4pys_LLE7OSC1WcEosBYrkpuaV8DCwpiXmFKfyQmluBlU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSSeBdXQwMjA0MDA2NDI2NzR0NjYtUBACCJJg0</recordid><startdate>20120112</startdate><enddate>20120112</enddate><creator>GROSSE, KRISTIN</creator><creator>BAADE, TORSTEN</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20120112</creationdate><title>Optoelektronisches Bauelement</title><author>GROSSE, KRISTIN ; BAADE, TORSTEN</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102010031237A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2012</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GROSSE, KRISTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>BAADE, TORSTEN</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GROSSE, KRISTIN</au><au>BAADE, TORSTEN</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Optoelektronisches Bauelement</title><date>2012-01-12</date><risdate>2012</risdate><abstract>Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 540 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480 nm.
An optoelectronic component includes a semiconductor chip that emits a primary radiation in the short-wave blue spectral range at a dominant wavelength of less than approximately 465 nm; and a phosphor that converts at least part of the primary radiation into a longer-wave secondary radiation in the green spectral range at a dominant wavelength of between approximately 490 nm and approximately 550 nm and at least partly surrounds the semiconductor chip, wherein a mixed light composed of primary radiation and secondary radiation has a dominant wavelength at wavelengths of approximately 460 nm to approximately 480 nm such that a luminous flux of the mixed light is up to 130% greater than a luminous flux in an optoelectronic component without a phosphor having the same dominant wavelength in a range of 460 nm to 480 nm, and the phosphor is arranged in a lamina that bears directly on the semiconductor chip.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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