Radiation detector for use in e.g. C-arm system for measuring incident doses of ionizing radiations, has non-marginal detector pixels distributed such that passive detector pixel is adjacently opposite to sensitive detector pixel

The detector has a semiconductor including a set of detector elements arranged in a matrix-like pattern with regularly distributed matrix positions. The detector elements of predefined positions are arranged to form a sensitive detector pixel (5). Non-radiative sensitive electronic elements and plated through-holes are formed to preset matrix positions and to form passive detector pixels (6). Non-marginal detector pixels are distributed such that one of the passive detector pixels is adjacently opposite to the sensitive detector pixel. Die Erfindung betrifft einen Strahlungsdetektor zur Messung der einfallenden Strahlendosis ionisierender Strahlung mit mindestens einem Halbleiter-Die (2), welcher eine Vielzahl von Detektorelementen (1) aufweist, die in einem matrixartigen Muster mit K > 4 regelmäßig verteilten Matrixpositionen mit N > 2 Spalten und M > 2 Zeilen, angeordnet sind. Erfindungsgemäß sind einerseits die Detektorelemente an K/2 bis K - 1 Matrixpositionen angeordnet und bilden jeweils sensitive Detektorpixel (5), und andererseits sind nicht-strahlungssensitive Elektronikelemente (11, 12, 13, 16, 17) und/oder Durchkontaktierungen (15) an K/2 bis einer Matrixposition(en) angeordnet und bilden jeweils passive Detektorpixel (6), wobei jedes Detektorpixel (5, 6) jeweils eine gleich große Pixelflächen bedeckt, und zumindest die nicht-randständigen Detektorpixel (5, 6) derart verteilt sind, dass jedes passive Detektorpixel (6) mindestens zwei angrenzende gegenüberliegende sensitive Detektorpixel (5) aufweist.