Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats
Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode un...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | ger |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | GEISLER, MICHAEL SIEMERS, MICHAEL ZEUNER, ARNDT PFLUG, ANDREAS FIEDLER, MARKS GRABOSCH, GUENTER CZARNETZKI, UWE BRINKMANN, RALF-PETER BECKMANN, RUDOLF |
| description | Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC-Self-Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp < max(se+sg) oder dp < 0.5s aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats, umfassend - Mittel zur Anregung einer kapazitiv gekoppelten, einen DC-Self-Bias aufweisenden Plasmaentladung in einem Bereich zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode sowie - Mittel zum Transport ... |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102009020436A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102009020436A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102009020436A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZHALSy1KS8woSs1TKM1LUQjLLyrKTM4oKc1LV6gqLVIIyEkszk1MSs1IzEvJAQmmZualFiuk5SQmZwC1BJcmFZcUJZYU8zCwpiXmFKfyQmluBlU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSSeBdXQwMjAwNLIGFibOZoaEysOgADkDWH</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats</title><source>esp@cenet</source><creator>GEISLER, MICHAEL ; SIEMERS, MICHAEL ; ZEUNER, ARNDT ; PFLUG, ANDREAS ; FIEDLER, MARKS ; GRABOSCH, GUENTER ; CZARNETZKI, UWE ; BRINKMANN, RALF-PETER ; BECKMANN, RUDOLF</creator><creatorcontrib>GEISLER, MICHAEL ; SIEMERS, MICHAEL ; ZEUNER, ARNDT ; PFLUG, ANDREAS ; FIEDLER, MARKS ; GRABOSCH, GUENTER ; CZARNETZKI, UWE ; BRINKMANN, RALF-PETER ; BECKMANN, RUDOLF</creatorcontrib><description>Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC-Self-Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp < max(se+sg) oder dp < 0.5s aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats, umfassend - Mittel zur Anregung einer kapazitiv gekoppelten, einen DC-Self-Bias aufweisenden Plasmaentladung in einem Bereich zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode sowie - Mittel zum Transport ...</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; CHEMICAL SURFACE TREATMENT ; CHEMISTRY ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL ; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL ; COATING METALLIC MATERIAL ; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ; ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ; ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL ; METALLURGY ; PLASMA TECHNIQUE ; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS ; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS ; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100916&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102009020436A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100916&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102009020436A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GEISLER, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>SIEMERS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>ZEUNER, ARNDT</creatorcontrib><creatorcontrib>PFLUG, ANDREAS</creatorcontrib><creatorcontrib>FIEDLER, MARKS</creatorcontrib><creatorcontrib>GRABOSCH, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>CZARNETZKI, UWE</creatorcontrib><creatorcontrib>BRINKMANN, RALF-PETER</creatorcontrib><creatorcontrib>BECKMANN, RUDOLF</creatorcontrib><title>Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats</title><description>Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC-Self-Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp < max(se+sg) oder dp < 0.5s aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats, umfassend - Mittel zur Anregung einer kapazitiv gekoppelten, einen DC-Self-Bias aufweisenden Plasmaentladung in einem Bereich zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode sowie - Mittel zum Transport ...</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</subject><subject>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</subject><subject>COATING METALLIC MATERIAL</subject><subject>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</subject><subject>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</subject><subject>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PLASMA TECHNIQUE</subject><subject>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</subject><subject>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</subject><subject>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHALSy1KS8woSs1TKM1LUQjLLyrKTM4oKc1LV6gqLVIIyEkszk1MSs1IzEvJAQmmZualFiuk5SQmZwC1BJcmFZcUJZYU8zCwpiXmFKfyQmluBlU31xBnD93Ugvz41OKCxOTUvNSSeBdXQwMjAwNLIGFibOZoaEysOgADkDWH</recordid><startdate>20100916</startdate><enddate>20100916</enddate><creator>GEISLER, MICHAEL</creator><creator>SIEMERS, MICHAEL</creator><creator>ZEUNER, ARNDT</creator><creator>PFLUG, ANDREAS</creator><creator>FIEDLER, MARKS</creator><creator>GRABOSCH, GUENTER</creator><creator>CZARNETZKI, UWE</creator><creator>BRINKMANN, RALF-PETER</creator><creator>BECKMANN, RUDOLF</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100916</creationdate><title>Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats</title><author>GEISLER, MICHAEL ; SIEMERS, MICHAEL ; ZEUNER, ARNDT ; PFLUG, ANDREAS ; FIEDLER, MARKS ; GRABOSCH, GUENTER ; CZARNETZKI, UWE ; BRINKMANN, RALF-PETER ; BECKMANN, RUDOLF</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102009020436A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>ger</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>CHEMICAL SURFACE TREATMENT</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL</topic><topic>COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL</topic><topic>COATING METALLIC MATERIAL</topic><topic>DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL</topic><topic>ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS</topic><topic>ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PLASMA TECHNIQUE</topic><topic>PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS</topic><topic>PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS</topic><topic>SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GEISLER, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>SIEMERS, MICHAEL</creatorcontrib><creatorcontrib>ZEUNER, ARNDT</creatorcontrib><creatorcontrib>PFLUG, ANDREAS</creatorcontrib><creatorcontrib>FIEDLER, MARKS</creatorcontrib><creatorcontrib>GRABOSCH, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>CZARNETZKI, UWE</creatorcontrib><creatorcontrib>BRINKMANN, RALF-PETER</creatorcontrib><creatorcontrib>BECKMANN, RUDOLF</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GEISLER, MICHAEL</au><au>SIEMERS, MICHAEL</au><au>ZEUNER, ARNDT</au><au>PFLUG, ANDREAS</au><au>FIEDLER, MARKS</au><au>GRABOSCH, GUENTER</au><au>CZARNETZKI, UWE</au><au>BRINKMANN, RALF-PETER</au><au>BECKMANN, RUDOLF</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats</title><date>2010-09-16</date><risdate>2010</risdate><abstract>Bei dem Verfahren zur Plasmabehandlung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei - das Substrat zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode mit einem Abstand d zwischen einem zu behandelnden Oberflächenbereich des Substrats und der Elektrode angeordnet wird, - zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode eine kapazitiv gekoppelte Plasmaentladung mit Bildung eines DC-Self-Bias angeregt wird, - in einem Bereich der Plasmaentladung zwischen dem zu behandelnden Oberflächenbereich und der Elektrode mit einem quasineutralen Plasmabulk eine Menge zumindest einer aktivierbaren Gasspezie vorliegt, mit welcher ein zu behandelnder Oberflächenbereich des Substrats beaufschlagt wird, - ist vorgesehen, dass eine Plasmaentladung angeregt wird, - bei der der Abstand d einen Wert aufweist, der vergleichbar ist mit s = se+sg, wobei se eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der Elektrode und sg eine Dicke einer Plasmarandschicht vor der zu behandelnden Substratoberfläche bezeichnet oder - bei der der quasineutrale Plasmabulk zwischen dem zu behandelndem Oberflächenbereich und der Elektrode eine lineare Ausdehnung dp mit dp < 1/3d, dp < max(se+sg) oder dp < 0.5s aufweist. Ferner betrifft die Erfindung eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines Substrats, umfassend - Mittel zur Anregung einer kapazitiv gekoppelten, einen DC-Self-Bias aufweisenden Plasmaentladung in einem Bereich zwischen einer Elektrode und einer Gegenelektrode sowie - Mittel zum Transport ...</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | ger |
| recordid | cdi_epo_espacenet_DE102009020436A1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY PLASMA TECHNIQUE PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OFNEUTRONS PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMICBEAMS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION |
| title | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T14%3A58%3A44IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GEISLER,%20MICHAEL&rft.date=2010-09-16&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102009020436A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |