Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken

Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit selektivem Emitter sowie Metallisierung zur Kontaktfingererzeugung, wobei die Emitterbereiche unterhalb der Kontaktfinger eine lokal hohe Dotierungskonzentration besitzen, wobei zur Justage der Metallisierung für die Erzeugung der Kontaktfinger die selektiv dotierte Struktur mittels einer IR-empfindlichen Kameraeinrichtung (3) in ihrer Position in dem Wafer (1) ermittelt und der Metallisierungsschritt unter Nutzung der visualisierten Position ausgerichtet wird wobei die dotierte Fläche exakt auf das Gebiet der aufzubringenden Metallisierung begrenzt bleibt. The invention relates to a method for producing semiconductor components using doping techniques, wherein during processing a sequence of layers is created which are to be positioned exactly with respect to each other. According to the invention, a selectively doped structure created in the semiconductor substrate is determined in the position thereof in the substrate using an infrared-sensitive camera device, and the position located in this way is directly or indirectly used to adjust the subsequent processing step.