Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Nutzung von Dotierungstechniken

Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit selektivem Emitter sowie Metallisierung zur Kontaktfingererzeugung, wobei die Emitterbereiche unterhalb der Kontaktfinger eine lokal hohe Dotierungskonzentration besitzen, wobei zur Justage der Metallisierung für die Erzeugung der Kontaktfinger...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WEISS, MATHIAS-PHY, MEYER, KARSTEN, LOSSEN, JAN-PHY, WÜTHERICH, TOBIAS-PHY
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Verfahren zur Herstellung einer Silizium-Solarzelle mit selektivem Emitter sowie Metallisierung zur Kontaktfingererzeugung, wobei die Emitterbereiche unterhalb der Kontaktfinger eine lokal hohe Dotierungskonzentration besitzen, wobei zur Justage der Metallisierung für die Erzeugung der Kontaktfinger die selektiv dotierte Struktur mittels einer IR-empfindlichen Kameraeinrichtung (3) in ihrer Position in dem Wafer (1) ermittelt und der Metallisierungsschritt unter Nutzung der visualisierten Position ausgerichtet wird wobei die dotierte Fläche exakt auf das Gebiet der aufzubringenden Metallisierung begrenzt bleibt.