Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9), umfassend das Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit einer ersten Seite (2), einer zweiten Seite (3), einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4),...
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| Format: | Patent |
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| creator | BITNAR, BERND FUELLE, ALEXANDER NEUHAUS, HOLGER KUTZER, MARTIN SCHLEGEL, KRISTIAN KRAUSE, ANDREAS WEBER, TORSTEN SCHNEIDERLOECHNER, ERIC HEEMEIER, MICHAEL |
| description | Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9), umfassend das Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit einer ersten Seite (2), einer zweiten Seite (3), einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4), einer auf mindestens einer der Seiten (2, 3) angeordneten dielektrischen Passivierungs-Schicht (5) und einer auf der Passivierungs-Schicht (5) angeordneten ersten Kontakt-Schicht (6), zumindest bereichsweises Aufbringen mindestens einer zweiten Kontakt-Schicht (7) auf die erste Kontakt-Schicht (6), wobei die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) zumindest eine Teilschicht aus einem gut lötbaren Metall, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben, umfasst, und Herstellen einer elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht (7) und dem Halbleiter-Substrat (1). |
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