Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements

Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9), umfassend das Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit einer ersten Seite (2), einer zweiten Seite (3), einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4),...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BITNAR, BERND, FUELLE, ALEXANDER, NEUHAUS, HOLGER, KUTZER, MARTIN, SCHLEGEL, KRISTIAN, KRAUSE, ANDREAS, WEBER, TORSTEN, SCHNEIDERLOECHNER, ERIC, HEEMEIER, MICHAEL
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements (8) mit einer gut lötbaren Kontakt-Struktur (9), umfassend das Bereitstellen eines flächig ausgebildeten Halbleiter-Substrats (1) mit einer ersten Seite (2), einer zweiten Seite (3), einer senkrecht auf diesen stehenden Flächennormalen (4), einer auf mindestens einer der Seiten (2, 3) angeordneten dielektrischen Passivierungs-Schicht (5) und einer auf der Passivierungs-Schicht (5) angeordneten ersten Kontakt-Schicht (6), zumindest bereichsweises Aufbringen mindestens einer zweiten Kontakt-Schicht (7) auf die erste Kontakt-Schicht (6), wobei die mindestens eine zweite Kontakt-Schicht (7) zumindest eine Teilschicht aus einem gut lötbaren Metall, insbesondere aus Nickel und/oder Silber und/oder Zinn und/oder einer Verbindung derselben, umfasst, und Herstellen einer elektrisch leitenden Kontaktierung zwischen der zweiten Kontakt-Schicht (7) und dem Halbleiter-Substrat (1).