Method for manufacturing nano-scale transistor of electronic component in e.g. sensor element, involves applying dielectric layer on substrate after removal of nano-line, and applying conductive material layer to develop transistor
The method involves applying a layer from nano-scale semiconductor particles on a carrier. A nano-line is produced on a substrate. A conductive material layer is applied on the substrate, and the nano-line is removed. A dielectric layer is applied on the substrate after removal of the nano-line, and...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; ger |
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| creator | HILLERINGMANN, ULRICH PETRAT, FRANK-MARTIN WOLFF, KARSTEN EBBERS, ANDRE |
| description | The method involves applying a layer from nano-scale semiconductor particles on a carrier. A nano-line is produced on a substrate. A conductive material layer is applied on the substrate, and the nano-line is removed. A dielectric layer is applied on the substrate after removal of the nano-line, and the conductive material layer is applied, so as to develop a nano-scale transistor. The carrier has a material selected from metal, insulated material, glass, plastic and semiconductor material e.g. silicon, silicon carbide, gallium arsenide and gallium nitride.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines nanoskaligen Transistors mit nanokristallinem Halbleiter, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass (0) ein Träger (1) bereitgestellt wird, und anschließend (I) auf den Träger eine Schicht (2) aus nanoskaligen Halbleiterpartikeln aufgebracht wird, und anschließend (II) auf das nach Schritt (I) erhaltene Substrat eine Nanolinie (3) erzeugt wird, und anschließend, (III) falls der Träger (1) zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) und/oder zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufweist, auf das nach Schritt (II) erhaltene Substrat eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, oder leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, und anschließend die Nanolinie (3) entfernt wird, und anschließend auf das nach dem Entfernen der Nanolinie (3) erhaltene Substrat zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) aufgebracht wird, und anschließend zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, wobei der nanoskalige Transistor erhalten wird. |
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Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines nanoskaligen Transistors mit nanokristallinem Halbleiter, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass (0) ein Träger (1) bereitgestellt wird, und anschließend (I) auf den Träger eine Schicht (2) aus nanoskaligen Halbleiterpartikeln aufgebracht wird, und anschließend (II) auf das nach Schritt (I) erhaltene Substrat eine Nanolinie (3) erzeugt wird, und anschließend, (III) falls der Träger (1) zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) und/oder zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufweist, auf das nach Schritt (II) erhaltene Substrat eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, oder leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, und anschließend die Nanolinie (3) entfernt wird, und anschließend auf das nach dem Entfernen der Nanolinie (3) erhaltene Substrat zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) aufgebracht wird, und anschließend zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, wobei der nanoskalige Transistor erhalten wird.</description><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2010</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100204&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102008040827A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20100204&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102008040827A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HILLERINGMANN, ULRICH</creatorcontrib><creatorcontrib>PETRAT, FRANK-MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>WOLFF, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>EBBERS, ANDRE</creatorcontrib><title>Method for manufacturing nano-scale transistor of electronic component in e.g. sensor element, involves applying dielectric layer on substrate after removal of nano-line, and applying conductive material layer to develop transistor</title><description>The method involves applying a layer from nano-scale semiconductor particles on a carrier. A nano-line is produced on a substrate. A conductive material layer is applied on the substrate, and the nano-line is removed. A dielectric layer is applied on the substrate after removal of the nano-line, and the conductive material layer is applied, so as to develop a nano-scale transistor. The carrier has a material selected from metal, insulated material, glass, plastic and semiconductor material e.g. silicon, silicon carbide, gallium arsenide and gallium nitride.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines nanoskaligen Transistors mit nanokristallinem Halbleiter, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass (0) ein Träger (1) bereitgestellt wird, und anschließend (I) auf den Träger eine Schicht (2) aus nanoskaligen Halbleiterpartikeln aufgebracht wird, und anschließend (II) auf das nach Schritt (I) erhaltene Substrat eine Nanolinie (3) erzeugt wird, und anschließend, (III) falls der Träger (1) zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) und/oder zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufweist, auf das nach Schritt (II) erhaltene Substrat eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, oder leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, und anschließend die Nanolinie (3) entfernt wird, und anschließend auf das nach dem Entfernen der Nanolinie (3) erhaltene Substrat zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) aufgebracht wird, und anschließend zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, wobei der nanoskalige Transistor erhalten wird.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2010</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjrFOQzEMRd_CgIB_8MLWVmmpRFcERSxs7JVJnBIpz44Sv0j94v5GXYoEI5Olq3OP7_VwfCf9kgBRKozIU0SvU028B0aWefOYCbQit9TUGIlAmbxW4eTBy1iEiRUSAy32C2jEzTBjRotnlnfJnRpgKflw9oZ0EVg944FMydCmz2ZPlACjWlRplI75_O17Rk5MM0AOvxovHCavqZPttk4y_OJTgUCdspQ_w2-Hq4i50d3PvRnuX7cfz29zKrKjVtATk-5etku3cm7j1m6zenxaPvyXOwFNn3Jy</recordid><startdate>20100204</startdate><enddate>20100204</enddate><creator>HILLERINGMANN, ULRICH</creator><creator>PETRAT, FRANK-MARTIN</creator><creator>WOLFF, KARSTEN</creator><creator>EBBERS, ANDRE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20100204</creationdate><title>Method for manufacturing nano-scale transistor of electronic component in e.g. sensor element, involves applying dielectric layer on substrate after removal of nano-line, and applying conductive material layer to develop transistor</title><author>HILLERINGMANN, ULRICH ; PETRAT, FRANK-MARTIN ; WOLFF, KARSTEN ; EBBERS, ANDRE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102008040827A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2010</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>HILLERINGMANN, ULRICH</creatorcontrib><creatorcontrib>PETRAT, FRANK-MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>WOLFF, KARSTEN</creatorcontrib><creatorcontrib>EBBERS, ANDRE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>HILLERINGMANN, ULRICH</au><au>PETRAT, FRANK-MARTIN</au><au>WOLFF, KARSTEN</au><au>EBBERS, ANDRE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Method for manufacturing nano-scale transistor of electronic component in e.g. sensor element, involves applying dielectric layer on substrate after removal of nano-line, and applying conductive material layer to develop transistor</title><date>2010-02-04</date><risdate>2010</risdate><abstract>The method involves applying a layer from nano-scale semiconductor particles on a carrier. A nano-line is produced on a substrate. A conductive material layer is applied on the substrate, and the nano-line is removed. A dielectric layer is applied on the substrate after removal of the nano-line, and the conductive material layer is applied, so as to develop a nano-scale transistor. The carrier has a material selected from metal, insulated material, glass, plastic and semiconductor material e.g. silicon, silicon carbide, gallium arsenide and gallium nitride.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines nanoskaligen Transistors mit nanokristallinem Halbleiter, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass (0) ein Träger (1) bereitgestellt wird, und anschließend (I) auf den Träger eine Schicht (2) aus nanoskaligen Halbleiterpartikeln aufgebracht wird, und anschließend (II) auf das nach Schritt (I) erhaltene Substrat eine Nanolinie (3) erzeugt wird, und anschließend, (III) falls der Träger (1) zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) und/oder zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufweist, auf das nach Schritt (II) erhaltene Substrat eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, oder leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, und anschließend die Nanolinie (3) entfernt wird, und anschließend auf das nach dem Entfernen der Nanolinie (3) erhaltene Substrat zumindest eine dielektrische Schicht (4, 8) aufgebracht wird, und anschließend zumindest eine leitfähige Materialschicht (5, 6, 7, 9) aufgebracht wird, wobei der nanoskalige Transistor erhalten wird.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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