Verfahren mit einer Abscheidung verspannungsinduzierender Schichten über mehreren ersten und mehreren zweiten Transistoren

In a dual stress liner approach, the surface conditions after the patterning of a first stress-inducing layer may be enhanced by appropriately designing an etch sequence for substantially completely removing an etch stop material, which may be used for the patterning of the second stress-inducing di...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	RICHTER, RALF, SEIDEL, ROBERT, SALZ, HEIKE
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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