Nichtflüchtiges Speicherbauelement

Nichtflüchtiges Speicherbauelement umfassend:- eine Mehrzahl von Speicherbänken (110_1 bis 110_8), welche jeweils eine Mehrzahl von nichtflüchtigen Speicherzellen aufweisen, wobei jede Zelle ein variables Widerstandselement aufweist, welches einen Widerstandswert aufweist, der in Abhängigkeit von gespeicherten Daten variiert,- eine Mehrzahl von globalen Bitleitungen (GBLO bis GBLn+1), wobei jede globale Bitleitung durch die Mehrzahl von Speicherbänken gemeinsam genutzt wird, und- eine Mehrzahl von Hauptwortleitungen (MWL), wobei jede Hauptwortleitung korrespondierend mit einer der Mehrzahl von Speicherbänken angeordnet ist und wobei die jeweilige globale Bitleitung eine globale Schreibbitleitung (WGBL), welche zum Schreiben von Daten in die Mehrzahl von Speicherbänken verwendet wird, und eine globale Lesebitleitung (RGBL) aufweist, welche zum Lesen von Daten aus der Mehrzahl von Speicherbänken verwendet wird,- wenigstens einen Satz von lokalen Bitleitungen (LBLO bis LBLn), wobei jeder Satz von lokalen Bitleitungen mit den Speicherzellen von wenigstens einer der Speicherbänke assoziiert ist,- wenigstens einen ersten und einen zweiten lokalen Schreibspaltenauswahlschaltkreis (170_1, 170_2), welcher mit jedem Satz der lokalen Bitleitungen assoziiert ist und während einer Schreiboperation wenigstens einen Teil des Satzes von lokalen Bitleitungen mit einer der globalen Schreibbitleitungen koppelt, und- wenigstens einen ersten und einen zweiten lokalen Lesespaltenauswahlschaltkreis (160_1, 160_2), welcher mit jedem Satz der lokalen Bitleitungen assoziiert ist und während einer Leseoperation wenigstens einen Teil des Satzes von lokalen Bitleitungen mit einer der globalen Lesebitleitungen koppelt,- wobei der erste und der zweite lokale Schreibspaltenauswahlschaltkreis auf je einer von zwei Seiten eines Speicherzellenfelds angeordnet sind und der erste und der zweite lokale Lesespaltenauswahlschaltkreis auf je einer von zwei Seiten des Speicherzellenfelds angeordnet sind und- wobei der erste lokale Schreibspaltenauswahlschaltkreis (170_1) Auswahltransistoren nur für geradzahlige oder nur für ungeradzahlige der lokalen Bitleitungen für das Speicherzellenfeld beinhaltet und/oder der erste lokale Lesespaltenauswahlschaltkreis (160_1) Auswahltransistoren nur für geradzahlige oder nur für ungeradzahlige der lokalen Bitleitungen für das Speicherzellenfeld beinhaltet. The element has a set of memory banks (110-1-110-8) comprising a set of non-volatile memory cells i.e. ph