Halbleiteranordnung mit einem grabenförmigen Isolationsgebiet und Verfahren zu deren Herstellung

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (100) aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (102); und Ausbilden eines Grabens (118) in dem Werkstück (102); zumindest teilweises Beschichten des Grabens (118) mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitax...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Han, Jin-Ping, Chong, Alfred (Yung Fu)
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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