Halbleiteranordnung mit einem grabenförmigen Isolationsgebiet und Verfahren zu deren Herstellung

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (100) aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (102); und Ausbilden eines Grabens (118) in dem Werkstück (102); zumindest teilweises Beschichten des Grabens (118) mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitax...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Han, Jin-Ping, Chong, Alfred (Yung Fu)
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator	Han, Jin-Ping Chong, Alfred (Yung Fu)
description	Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung (100) aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Werkstücks (102); und Ausbilden eines Grabens (118) in dem Werkstück (102); zumindest teilweises Beschichten des Grabens (118) mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148); und Füllen des mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148) zumindest teilweise beschichteten Grabens (118) mit einem Isolationsmaterial (128), dadurch gekennzeichnet, dass der Graben (118) des Isolationsgebiets (132; 142; 152) eine erste Seite (146) und eine zweite Seite (138) aufweist, wobei das Isolationsgebiet (132; 142; 152) eine über der ersten Seite (146) des Grabens (118) angeordnete erste eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (148) und eine über der zweiten Seite (138) des Grabens (118) angeordnete zweite eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (124) aufweist, und wobei die zweite eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (124) ein von der ersten eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148) verschiedenes Material oder eine verschiedene Dicke aufweist.
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und Ausbilden eines Grabens (118) in dem Werkstück (102); zumindest teilweises Beschichten des Grabens (118) mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148); und Füllen des mit zumindest einer eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148) zumindest teilweise beschichteten Grabens (118) mit einem Isolationsmaterial (128), dadurch gekennzeichnet, dass der Graben (118) des Isolationsgebiets (132; 142; 152) eine erste Seite (146) und eine zweite Seite (138) aufweist, wobei das Isolationsgebiet (132; 142; 152) eine über der ersten Seite (146) des Grabens (118) angeordnete erste eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (148) und eine über der zweiten Seite (138) des Grabens (118) angeordnete zweite eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (124) aufweist, und wobei die zweite eine mechanische Beanspruchung verändernde Epitaxieschicht (124) ein von der ersten eine mechanische Beanspruchung verändernden Epitaxieschicht (148) verschiedenes Material oder eine verschiedene Dicke aufweist.</description><language>ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; 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