Positioning error correction process for structural element on substrate involves finding lateral position, comparing with preset one and applying light beam dose
The correction process for positioning errors of at least one structural element (3-1, 3-2) on the surface (2) of a substrate (1) involves using an apparatus (100) to find the actual lateral position, comparing it with a preset one, deciding the appropriate light beam dose and applying the dose usin...
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Format: | Patent |
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creator | PFORR, RAINER COTTE, ERIC SCZYRBA, MARTIN HENNIG, MARIO REICHELT, JENS |
description | The correction process for positioning errors of at least one structural element (3-1, 3-2) on the surface (2) of a substrate (1) involves using an apparatus (100) to find the actual lateral position, comparing it with a preset one, deciding the appropriate light beam dose and applying the dose using at least one light beam on a dependent sector of the substrate to create the required local variation.
Es wird ein Verfahren zur Korrektur von Platzierungsfehlern (Vi) von mindestens einem auf einer Oberfläche (2) eines Substrats (1) angeordneten Strukturelement (3) angegeben. Das Verfahren umfasst ein Bestimmen einer lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) relativ zu einem vorgegebenen Koordinatensystem (X, Y), ein Vergleichen der bestimmten lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) mit einem vorgegebenen lateralen Positionswert (Pi) für das mindestens eine Strukturelement (3) und Bestimmen eines Platzierungsfehlers (Vi) für das mindestens eine Strukturelement (3), ein Festlegen einer Strahlungsdosis mindestens eines Lichtstrahls (5) und Bestimmen mindestens eines Abschnitts (15) des Substrats (1) in Abhängigkeit von dem Platzierungsfehler (Vi) sowie das Durchführen einer lokalen Bestrahlung des Substrats (1) mit dem mindestens einen Lichtstrahl (5) mit der Strahlungsdosis zur Erzeugung einer lokalen Dichtevariation des mindestens einen Abschnitts (6) des Substrats. |
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Es wird ein Verfahren zur Korrektur von Platzierungsfehlern (Vi) von mindestens einem auf einer Oberfläche (2) eines Substrats (1) angeordneten Strukturelement (3) angegeben. Das Verfahren umfasst ein Bestimmen einer lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) relativ zu einem vorgegebenen Koordinatensystem (X, Y), ein Vergleichen der bestimmten lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) mit einem vorgegebenen lateralen Positionswert (Pi) für das mindestens eine Strukturelement (3) und Bestimmen eines Platzierungsfehlers (Vi) für das mindestens eine Strukturelement (3), ein Festlegen einer Strahlungsdosis mindestens eines Lichtstrahls (5) und Bestimmen mindestens eines Abschnitts (15) des Substrats (1) in Abhängigkeit von dem Platzierungsfehler (Vi) sowie das Durchführen einer lokalen Bestrahlung des Substrats (1) mit dem mindestens einen Lichtstrahl (5) mit der Strahlungsdosis zur Erzeugung einer lokalen Dichtevariation des mindestens einen Abschnitts (6) des Substrats.</description><language>eng ; ger</language><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR ; CINEMATOGRAPHY ; ELECTROGRAPHY ; HOLOGRAPHY ; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES ; MATERIALS THEREFOR ; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES ; NANOTECHNOLOGY ; ORIGINALS THEREFOR ; PERFORMING OPERATIONS ; PHOTOGRAPHY ; PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES ; PHYSICS ; SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2008</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080529&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102006054820A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20080529&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102006054820A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>PFORR, RAINER</creatorcontrib><creatorcontrib>COTTE, ERIC</creatorcontrib><creatorcontrib>SCZYRBA, MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>HENNIG, MARIO</creatorcontrib><creatorcontrib>REICHELT, JENS</creatorcontrib><title>Positioning error correction process for structural element on substrate involves finding lateral position, comparing with preset one and applying light beam dose</title><description>The correction process for positioning errors of at least one structural element (3-1, 3-2) on the surface (2) of a substrate (1) involves using an apparatus (100) to find the actual lateral position, comparing it with a preset one, deciding the appropriate light beam dose and applying the dose using at least one light beam on a dependent sector of the substrate to create the required local variation.
Es wird ein Verfahren zur Korrektur von Platzierungsfehlern (Vi) von mindestens einem auf einer Oberfläche (2) eines Substrats (1) angeordneten Strukturelement (3) angegeben. Das Verfahren umfasst ein Bestimmen einer lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) relativ zu einem vorgegebenen Koordinatensystem (X, Y), ein Vergleichen der bestimmten lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) mit einem vorgegebenen lateralen Positionswert (Pi) für das mindestens eine Strukturelement (3) und Bestimmen eines Platzierungsfehlers (Vi) für das mindestens eine Strukturelement (3), ein Festlegen einer Strahlungsdosis mindestens eines Lichtstrahls (5) und Bestimmen mindestens eines Abschnitts (15) des Substrats (1) in Abhängigkeit von dem Platzierungsfehler (Vi) sowie das Durchführen einer lokalen Bestrahlung des Substrats (1) mit dem mindestens einen Lichtstrahl (5) mit der Strahlungsdosis zur Erzeugung einer lokalen Dichtevariation des mindestens einen Abschnitts (6) des Substrats.</description><subject>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</subject><subject>CINEMATOGRAPHY</subject><subject>ELECTROGRAPHY</subject><subject>HOLOGRAPHY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>MATERIALS THEREFOR</subject><subject>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>ORIGINALS THEREFOR</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>PHOTOGRAPHY</subject><subject>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2008</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjTsKQjEQRV9jIeoeprFTiF9sxQ-WFvYS864ayEvCTJ7idlypibgAq4F7zz3Trd7HIDbZ4K2_EZgDkwnMMCWjyMFAhK45lsStSS1rR3Bo4BNlQtpLLnQCWf8I7oEMW18Xm8tpoePvwyibm6i5dE-b7tkOQbGAtK9Jx-he36G93RNdoBuqg6Bfda7aCQa_26uG-91pcxgjhjMkagOPdN7uJmqq1FIt5qupWk9m_3If6SlY7g</recordid><startdate>20080529</startdate><enddate>20080529</enddate><creator>PFORR, RAINER</creator><creator>COTTE, ERIC</creator><creator>SCZYRBA, MARTIN</creator><creator>HENNIG, MARIO</creator><creator>REICHELT, JENS</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20080529</creationdate><title>Positioning error correction process for structural element on substrate involves finding lateral position, comparing with preset one and applying light beam dose</title><author>PFORR, RAINER ; COTTE, ERIC ; SCZYRBA, MARTIN ; HENNIG, MARIO ; REICHELT, JENS</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102006054820A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2008</creationdate><topic>APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR</topic><topic>CINEMATOGRAPHY</topic><topic>ELECTROGRAPHY</topic><topic>HOLOGRAPHY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>MATERIALS THEREFOR</topic><topic>MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>ORIGINALS THEREFOR</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>PHOTOGRAPHY</topic><topic>PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>PFORR, RAINER</creatorcontrib><creatorcontrib>COTTE, ERIC</creatorcontrib><creatorcontrib>SCZYRBA, MARTIN</creatorcontrib><creatorcontrib>HENNIG, MARIO</creatorcontrib><creatorcontrib>REICHELT, JENS</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>PFORR, RAINER</au><au>COTTE, ERIC</au><au>SCZYRBA, MARTIN</au><au>HENNIG, MARIO</au><au>REICHELT, JENS</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Positioning error correction process for structural element on substrate involves finding lateral position, comparing with preset one and applying light beam dose</title><date>2008-05-29</date><risdate>2008</risdate><abstract>The correction process for positioning errors of at least one structural element (3-1, 3-2) on the surface (2) of a substrate (1) involves using an apparatus (100) to find the actual lateral position, comparing it with a preset one, deciding the appropriate light beam dose and applying the dose using at least one light beam on a dependent sector of the substrate to create the required local variation.
Es wird ein Verfahren zur Korrektur von Platzierungsfehlern (Vi) von mindestens einem auf einer Oberfläche (2) eines Substrats (1) angeordneten Strukturelement (3) angegeben. Das Verfahren umfasst ein Bestimmen einer lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) relativ zu einem vorgegebenen Koordinatensystem (X, Y), ein Vergleichen der bestimmten lateralen Position des mindestens einen Strukturelements (3) mit einem vorgegebenen lateralen Positionswert (Pi) für das mindestens eine Strukturelement (3) und Bestimmen eines Platzierungsfehlers (Vi) für das mindestens eine Strukturelement (3), ein Festlegen einer Strahlungsdosis mindestens eines Lichtstrahls (5) und Bestimmen mindestens eines Abschnitts (15) des Substrats (1) in Abhängigkeit von dem Platzierungsfehler (Vi) sowie das Durchführen einer lokalen Bestrahlung des Substrats (1) mit dem mindestens einen Lichtstrahl (5) mit der Strahlungsdosis zur Erzeugung einer lokalen Dichtevariation des mindestens einen Abschnitts (6) des Substrats.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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