Monitoring of processes for ion etching or material deposition in vacuum chamber, employs quartz resonator, excitation oscillator and sensor inside chamber
The chamber (1), which contains a quartz resonator (5) used to register deposition or removal of material, also includes an oscillator circuit to excite oscillation in the quartz resonator and/or a sensor to detect the oscillations generated. A control and/or analysis unit (6) is provided in the cha...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; ger |
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Zusammenfassung: | The chamber (1), which contains a quartz resonator (5) used to register deposition or removal of material, also includes an oscillator circuit to excite oscillation in the quartz resonator and/or a sensor to detect the oscillations generated. A control and/or analysis unit (6) is provided in the chamber for the resonator (5) and includes a central processor (CPU) for the oscillator or sensor. Oscillator, sensor and/or CPU for the control and analysis unit, are contained in a vacuum-tight housing. A number of quartz resonators are arrayed in a field, each with one or more of its own ancillaries as cited in the foregoing. They are networked in serial-, spur- or adjacent connection. A bus system is used. At least one covered reference quartz resonator is included in the field. This detects local ambient conditions, especially temperature influences. The crystals, oscillator, CPU and/or sensors have no wired connections to the exterior. The crystal (5) or field of them, can be moved together with the substrate (3) being processed. Energy is supplied from batteries, optionally rechargeable batteries. Data is transmitted wirelessly. There is a central control and/or evaluation module. The processing chamber is a vacuum chamber, especially a vacuum-coating chamber or a chamber for ion etching. Data from the quartz resonators is evaluated by comparison, to eliminate or minimize errors, or to determine a mean result. An independent claim IS INCLUDED FOR the corresponding method of monitoring material deposition or removal.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Überwachung von Materialbearbeitungsprozessen, insbesondere bei der Materialabscheidung oder -entfernung in Vakuumbeschichtungsanlagen oder Anlagen zur Ionenätzung, mit mindestens einem in einer Bearbeitungskammer (1) angeordneten Schwingquarz (5), dessen Schwingungsverhalten und insbesondere dessen Eigenfrequenz durch Materialablagerungen (7) oder Materialabtrag geändert wird, wobei in der Bearbeitungskammer (1) ein Oszillator (8) zur Schwingungsanregung und/oder ein Schwingungssensor (9) zur Ermittlung der erzeugten Schwingung vorgesehen sind, wobei alternativ eine Vielzahl von Schwingquarzen (5) in einem Feld (11, 12) angeordnet sind und/oder wobei der oder die Schwingquarze (5), insbesondere mit Oszillator (8) und/oder Schwingungssensor (9) in einer vorzugsweise jeweils einem Schwingquarz zugeordneten Steuer- und/oder Auswerteeinheit (6), aus der Bearbeitungskammer kein |
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