Halbleiterlaser und Verfahren zu seiner Herstellung

Es wird ein Halbleiterlaser mit wenigstens einer Wärme generierenden aktiven Zone (25) aus einem Halbleitermaterial mit hoher kristalliner Ordnung und wenigstens einer lateral an die aktive Zone (25) angrenzenden Isolier- und Wärmeabfuhrzone (27) aus einem elektrisch isolierenden, Wärme leitenden Material zur Verfügung gestellt. Das elektrisch isolierende, Wärme leitende Material ist mit dem Halbleitermaterial der aktiven Zone (25) in seinen chemischen Konstituenten identisch. Die elektrisch isolierende Eigenschaft des isolierenden, Wärme leitenden Materials beruht auf einem gegenüber dem Halbleitermaterial verringerten Grad an kristalliner Ordnung. The laser has a heat generating active zone (25) made from a semiconductor material with high crystalline order and an insulating and heat dissipating zone (27) adjacent to the active zone. The zone (27) is made from an electrically insulating, heat conducting material that is identical to the semiconductor material in its chemical constituents. Electrically insulating characteristics of the heat conducting material are based on a level at a crystalline order. The zone (27) is applied under interconnection of an amorphous layer (20). An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor laser.