Technik zur Herstellung einer Kontaktschicht auf Kupferbasis ohne ein Endmetall

Verfahren zur Herstellung einer Kontaktschicht mit einem Kontakthöcker (212) mit:Bilden einer ersten Passivierungsschicht (203) über einer kupferenthaltenden Oberfläche (202a) eines Kontaktgebiets (202);Strukturieren der ersten Passivierungsschicht (203), um die kupferenthaltende Oberfläche (202a) freizulegen;Bilden einer Kupferschutzschicht (215) über der strukturierten ersten Passivierungsschicht (203) und über der freigelegten kupferenthaltenden Oberfläche (202a) des Kontaktgebiets (202);Bilden einer letzten Passivierungsschicht (209) über der Kupferschutzschicht (215);Strukturieren der letzten Passivierungsschicht (209) und der Kupferschutzschicht (215), um einen Bereich der kupferenthaltenden Oberfläche (202a) freizulegen, wobei die erste Passivierungsschicht (203) vor dem Bilden der letzten Passivierungsschicht (209) strukturiert wird;Bilden einer Höckerunterseitenmetallisierungsschicht (211) über der letzten Passivierungsschicht (209) und über dem freigelegten Bereich der kupferenthaltenden Oberfläche (202a) des Kontaktgebiets (202);Bilden des Kontakthöckers (212) auf der Höckerunterseitenmetallisierungsschicht (211) über der kupferenthaltenden Oberfläche (202a);Strukturieren der Höckerunterseitenmetallisierungsschicht (211) in Anwesenheit des Kontakthöckers (212);wobei der Bereich der kupferenthaltenden Oberfläche (202a) in-situ mit dem Bilden der Höckerunterseitenmetallisierungsschicht (211) freigelegt wird. A semiconductor component has a metallization layer with copper-based contact zone which is laterally defined by a passivation layer and which has a copper-containing contact surface; a final passivation layer formed over the passivation layer; a bump bottom-face metallization layer formed on the copper-containing contact surface and on a region of the final passivation layer; and a solder bump formed on the bump bottom-face metallization layer. An independent claim is included for a method for forming a bump lower-face metallization layer on exposed copper-containing surface. (1) (A) (2) (B).