Semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes insulator layer formed by laminating oxide layer and oxynitride layer
At least one gate is formed on the semiconductor body through an insulator layer. The insulator layer is comprised of an oxide layer and a oxynitride layer that are laminated together. An independent claim is also included for a semiconductor component manufacturing method. Die Erfindung betrifft ei...
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| description | At least one gate is formed on the semiconductor body through an insulator layer. The insulator layer is comprised of an oxide layer and a oxynitride layer that are laminated together. An independent claim is also included for a semiconductor component manufacturing method.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und wenigstens einem Gate, das durch eine Isolatorschicht von dem Halbleiterkörper getrennt ist, wobei die Isolatorschicht durch eine Schichtfolge, bestehend aus einer Oxidschicht und einer Stickstoff aufweisenden Oxidschicht, gebildet ist. Zur Herstellung kann Stickstoff in eine Oxidschicht implantiert werden oder eine Oxidschicht durch einen Oxidationsprozess in Sauerstoff-haltiger Atmosphäre erzeugt werden, wobei der Sauerstoffatmosphäre zur Erzeugung der Stickstoff aufweisenden Oxidschicht temporär ein gewisser Anteil von Stickstoff beigemengt wird. |
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Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und wenigstens einem Gate, das durch eine Isolatorschicht von dem Halbleiterkörper getrennt ist, wobei die Isolatorschicht durch eine Schichtfolge, bestehend aus einer Oxidschicht und einer Stickstoff aufweisenden Oxidschicht, gebildet ist. Zur Herstellung kann Stickstoff in eine Oxidschicht implantiert werden oder eine Oxidschicht durch einen Oxidationsprozess in Sauerstoff-haltiger Atmosphäre erzeugt werden, wobei der Sauerstoffatmosphäre zur Erzeugung der Stickstoff aufweisenden Oxidschicht temporär ein gewisser Anteil von Stickstoff beigemengt wird.</description><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2006</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20061116&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102005022391A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20061116&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102005022391A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>SCHULZE, HANS-JOACHIM</creatorcontrib><creatorcontrib>SOELKNER, GERALD</creatorcontrib><title>Semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes insulator layer formed by laminating oxide layer and oxynitride layer</title><description>At least one gate is formed on the semiconductor body through an insulator layer. The insulator layer is comprised of an oxide layer and a oxynitride layer that are laminated together. An independent claim is also included for a semiconductor component manufacturing method.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper und wenigstens einem Gate, das durch eine Isolatorschicht von dem Halbleiterkörper getrennt ist, wobei die Isolatorschicht durch eine Schichtfolge, bestehend aus einer Oxidschicht und einer Stickstoff aufweisenden Oxidschicht, gebildet ist. Zur Herstellung kann Stickstoff in eine Oxidschicht implantiert werden oder eine Oxidschicht durch einen Oxidationsprozess in Sauerstoff-haltiger Atmosphäre erzeugt werden, wobei der Sauerstoffatmosphäre zur Erzeugung der Stickstoff aufweisenden Oxidschicht temporär ein gewisser Anteil von Stickstoff beigemengt wird.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2006</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjb0KAjEQhK-xEPUdthEUVO4HC0vxBxuxOHuJyUYCySYkOfQeync04iHYWc3O7MdMP3vWaBS3JBoerQdujbOEFGeAi9sCnL2jB4ORabAPJRDCDy8VagEoJfII0TMKKrzzyfFU73fnKSjiuhEY0hEazd4_zdrUKa03KODaJm8Usajo1k18AEYi-ZZU9N9wmPUk0wFHnQ6ycVrZHObo7AWDYxwJ42W7K_Iyz5d5WVarYl1U_3Iv1x9bjQ</recordid><startdate>20061116</startdate><enddate>20061116</enddate><creator>SCHULZE, HANS-JOACHIM</creator><creator>SOELKNER, GERALD</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20061116</creationdate><title>Semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes insulator layer formed by laminating oxide layer and oxynitride layer</title><author>SCHULZE, HANS-JOACHIM ; SOELKNER, GERALD</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102005022391A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2006</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>SCHULZE, HANS-JOACHIM</creatorcontrib><creatorcontrib>SOELKNER, GERALD</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>SCHULZE, HANS-JOACHIM</au><au>SOELKNER, GERALD</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Semiconductor component, e.g. power metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes insulator layer formed by laminating oxide layer and oxynitride layer</title><date>2006-11-16</date><risdate>2006</risdate><abstract>At least one gate is formed on the semiconductor body through an insulator layer. The insulator layer is comprised of an oxide layer and a oxynitride layer that are laminated together. An independent claim is also included for a semiconductor component manufacturing method.
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