Halbleitervorrichtung mit an Seitenwänden eines Grabens ausgebildeten ONO-Filmen und deren Herstellungsverfahren

Halbleitervorrichtung, die ein Halbleiterelement aufweist, das eine isolierte Gatestruktur aufweist, bei welcher ein Gateisolationsfilm (6), der einen ONO-Film aufweist, der aus einem ersten Siliziumoxidfilm (6a), einem Siliziumnitridfilm (6b) und einem zweiten Siliziumoxidfilm (6c) besteht, auf der...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Suzuki, Mikimasa, Tsuzuki, Yukio, Shiga, Tomofusa, Aoki, Takaaki
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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