Measurement of layer thickness of a coating on a substrate useful in semiconductor production involves preparing composition of first material containing two substrates and depositing layers of second and third materials on first substrate

Measurement of layer thickness of a coating on a substrate by:(a) preparation of a composition (50) of substrates (10,20,30,40) comprising a first material (1), where the composition contains a first (10) and second substrate (20), (b) removal of first substrate from the composition, (c) deposition of a first layer (11) from second different material (2) on first substrate (10), (d) deposition of second layer (12) of third material (3) different from (2) on layer (11), : An independent claim is included for a composition (100) of semiconductor products including materials (1), (2) and (3). Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Messen einer Schichtdicke einer Schicht auf einem Substrat. Erfindungsgemäß wird ein Satz von Substraten mit einem ersten (10) und einem zweiten Substrat (20) bereitgestellt, die aus demselben Material (1) bestehen. Dann wird eine Schicht (11) aus einem anderen, zweiten Material (2) auf das erste Substrat (10) und darauf eine Schicht (12) aus dem dritten Material (3) abgeschieden. Das zweite Material (2) unterscheidet sich von dem dritten Material (3) und von dem ersten Material (1). Die Schicht (11) aus dem zweiten Material (2) erleichtert eine Messung der Schichtdicke der darauf angeordneten Schicht (12) aus dem dritten Material (3). Erfindungsgemäß wird die Schichtdickenmessung an dem ersten Substrat (10) durchgeführt, die mit der zusätzlichen Schicht (11) aus dem zweiten Material (2) versehen ist. Dadurch erübrigt sich die viel schwierigere Schichtdickenmessung auf einem Substrat (20), das keine Zwischenschicht aus dem zweiten Material (2) aufweist. Nach einer Überprüfung, ob die Messung der Schichtdicke der Schicht (12) auf dem ersten Substrat (10) innerhalb eines vorgegebenen Sollwertbereichs für die Schichtdicke liegt, kann auf einem zweiten Substrat (20) eine Schicht (22) mit einer geeigneten Schichtdicke abgeschieden und das zweite Substrat (20) zur Herstellung integrierter Halbleiterschaltungen weiterverwendet werden.