Verfahren zur Herstellung von Stegfeldeffekttransistoren in einer DRAM-Speicherzellenanordnung, Feldeffekttransistoren mit gekrümmtem Kanal und DRAM-Speicherzellenanordnung

A transistor, memory cell array and method of manufacturing a transistor are disclosed. In one embodiment, the invention refers to a transistor, which is formed at least partially in a semiconductor substrate, comprising a first and a second source/drain regions, a channel region connecting said fir...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	SCHWERIN, ULRIKE GRUENING VON
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INFORMATION STORAGE PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES STATIC STORES
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