Verfahren zur Ausbildung einer integrierten Schaltung mit Grabenisolation

A process for fabricating integrated circuits is disclosed. In particular, the process includes rounding corners of the active regions. In one embodiment, a substrate prepared with a support region having an active area between first and second trench isolations. The top surfaces of the trench isola...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	BEINTNER, JOCHEN
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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