Production of HDPCVD oxide-filled insulation trench used in production of integrated circuits comprises forming insulation trench in semiconductor substrate, and forming silicon oxide layers on side walls and on base of trench

The production of an HDPCVD oxide-filled insulation trench comprises forming an insulation trench in a semiconductor substrate (60); forming a first silicon oxide layer (66) on the side walls and on the base of the trench by oxidizing; forming a second silicon oxide layer (68) on the side walls and on the base of the trench using an HDPCVD process; and depositing a third silicon oxide layer by HDPCVD so that the trench is filled with silicon oxide. Preferred Features: The insulation trench is 300-500, preferably 350-450 microns m deep and less than 0.3, preferably less then 0.2 microns m wide. The second oxide layer is 20-200, preferably 40-150 nm thick. The third oxide layer is 300-500, preferably 350-450 nm thick. The silicon source in the HDPCVD process is tetraethylorthosilicate. Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung eines HDPCVD-Oxid gefüllten Isolationsgrabens, wobei die Schritte Formen von wenigstens einem Isolationsgraben in einem Halbleitersubstrat, Bildung einer Oxidschicht 66 an den Seitenwänden und am Boden des Isolationsgrabens durch einen Oxidationsschritt und Füllen des Isolationsgrabens mit einem Oxid durch ein HDPCVD-Verfahren durchgeführt werden. In dem HDPCVD-Verfahren wird zunächst ohne Anlegen einer RF-Spannung an den Wafer eine Oxid-Schicht 68 abgeschieden und anschließend der Isolationsgraben mit Hilfe einer an den Wafer angelegten RF-Spannung mit Oxid gefüllt.