Dispositivos, sistemas y métodos para recolección de energía electromagnética

Se proporciona un sistema para recolectar energía electromagnética. El sistema puede incluir uno o más dispositivos de recolección de energía electromagnética. Un dispositivo individual comprende una primera capa eléctricamente conductora adyacente a una capa semiconductora. La primera capa eléctric...

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Hauptverfasser: FENNEL MICHAEL, HALLAS JUSTIN, MEADE SHAWN, JULURI BALA KRISHNA, LAYTON PHILLIP
Format: Patent
Sprache:spa
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Beschreibung
Zusammenfassung:Se proporciona un sistema para recolectar energía electromagnética. El sistema puede incluir uno o más dispositivos de recolección de energía electromagnética. Un dispositivo individual comprende una primera capa eléctricamente conductora adyacente a una capa semiconductora. La primera capa eléctricamente conductora forma una barrera Schottky a flujo de carga en una interfase entre la primera capa eléctricamente conductora y la capa semiconductora. Una segunda capa eléctricamente conductora se coloca adyacente a la capa semiconductora y lejos de la primera capa eléctricamente conductora. La segunda capa eléctricamente conductora forma un contacto óhmico con la capa semiconductora. Ante la exposición del dispositivo a energía electromagnética, la primera capa eléctricamente conductora genera resonancias plasmón de superficie localizada que interactúan en forma resonante con la segunda capa eléctricamente conductora, proporcionando la absorción de luz casi perfecta. La absorción de luz crea electrones calientes en la primera capa que cruza la barrera Schottky para dirigir una carga externa. A system for collecting electromagnetic energy is provided. The system can include one or more electromagnetic energy collection devices. An individual device comprises a first electrically conductive layer adjacent to a semiconductor layer. The first electrically conductive layer forms a Schottky barrier to charge flow at an interface between the first electrically conductive layer and the semiconductor layer. A second electrically conductive layer is disposed adjacent to the semiconductor layer and away from the first electrically conductive layer. The second electrically conductive layer forms an ohmic contact with the semiconductor layer. Upon exposure of the device to electromagnetic energy, the first electrically conductive layer generates localized surface plasmon resonances that resonantly interact with the second electrically conductive layer, providing near perfect absorption of light. The absorption of light creates hot electrons in the first layer that cross the Schottky barrier to drive an external load.