Semiconductor substrate, field effect transistor, and method for forming silicon germanide layer

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MISHIMA ICHIKI, SHIONO ICHIRO, YAMAGUCHI KENSHI
Format:	Patent
Sprache:	eng
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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