Semiconductor device and its mfg. method

A semiconductor device includes a first-conductivity-type semiconductor substrate (101), a second-conductivity-type source layer (102) formed in a surface in the semiconductor substrate (101), a second-conductivity-type drain layer (103) formed in the surface in the semiconductor substrate (101) to...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: KIKUCHI KOUJI
Format: Patent
Sprache:eng
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